cmos sramk6x1008t2d 家族
修订 1.0
九月 2003
1
文档 标题
128kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
修订 history
修订 非.
0.0
0.1
0.2
1.0
Remark
初步的
初步的
初步的
最终
History
最初的 draft
修订
- deleted 32-tsop1-0820r, 32-tsop1-0813.4f/r 包装 类型.
- 增加 商业的 产品.
- 增加 55ns 产品( vcc = 3.0v~3.6v)
修订
- 增加 含铅的 自由 32-sop-525 产品
- 增加 含铅的 自由 32-tsop1-0820f 产品
Finalized
- changed iCC从 3ma 至 2ma
- changed iCC2 从 25ma 至 20ma
- changed iSB1(商业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iSB1(工业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iSB1(automotive)从 20
µ
一个 至 10
µ
一个
- changed iDR(商业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iDR(工业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iDR(automotive)从 20
µ
一个 至 10
µ
一个
draft 数据
july 15, 2002
12月 4, 2002
六月 23, 2003
九月 16, 2003
这 连结 数据手册 是 提供 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. reserves 这 正确的 至 改变 这 规格ifications 和
产品. samsung electronics 将 answer 至 your questions. 如果 你 有 任何 questions, 请 联系 这 samsung branch 办公室s.