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资料编号:434766
 
资料名称:K6X1008T2D-TF70
 
文件大小: 153.12K
   
说明
 
介绍:
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
cmos sramk6x1008t2d 家族
修订 1.0
九月 2003
1
文档 标题
128kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
修订 history
修订 非.
0.0
0.1
0.2
1.0
Remark
初步的
初步的
初步的
最终
History
最初的 draft
修订
- 增加 商业的 产品.
- 增加 55ns 产品( vcc = 3.0v~3.6v)
修订
- 增加 含铅的 自由 32-sop-525 产品
- 增加 含铅的 自由 32-tsop1-0820f 产品
Finalized
- changed iCC从 3ma 至 2ma
- changed iCC2 从 25ma 至 20ma
- changed iSB1(商业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iSB1(工业的)从 10
µ
一个 至 6
µ
一个
- changed iSB1(automotive)从 20
µ
一个 至 10
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一个
- changed iDR(商业的)从 10
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一个 至 6
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一个
- changed iDR(工业的)从 10
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一个 至 6
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一个
- changed iDR(automotive)从 20
µ
一个 至 10
µ
一个
draft 数据
july 15, 2002
12月 4, 2002
六月 23, 2003
九月 16, 2003
这 连结 数据手册 是 提供 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. reserves 这 正确的 至 改变 这 规格ifications 和
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