k6x8008t2b 家族
修订 1.0
九月 2003
2
cmos sram
1mx8 位 低 电源 和 低 电压 全部 cmos 静态的 内存
一般 描述
这 k6x8008t2b families 是 fabricated 用 samsung
′
s
先进的 全部 cmos 处理 技术. 这 families sup-
端口 各种各样的 运行 温度 范围 为 用户 flexibility 的
系统 设计. 这 families 也 支持 低 数据 保持
电压 为 电池 后面的-向上 运作 和 低 数据 保持
电流.
特性
•
处理 技术: 全部 cmos
•
organization: 1m x8
•
电源 供应 电压: 2.7~3.6v
•
低 数据 保持 电压: 1.5v(最小值)
•
三 状态 输出
•
包装 类型: 44-tsop2-400f
名字 函数 名字 函数
CS1, cs2 碎片 选择 输入 Vcc 电源
OE 输出 使能 输入 Vss 地面
我们 写 使能 输入 一个0~A19 地址 输入
i/o1~i/o8 数据 输入/输出 NC 非 连接
PROduct 家族
1. 这个 参数 是 量过的 和 50pf 测试 加载 (vcc=3.0~3.6v).
产品 家族 运行 温度 vcc 范围 速
电源 消耗
pkg 类型
备用物品
(iSB1, 最大值)
运行
(iCC2, 最大值)
k6x8008t2b-f 工业的(-40~85
°
c)
2.7~3.6v
55
1)
/70ns
15
µ
一个
30mA 44-tsop2-400f
k6x8008t2b-q automotive(-40~125
°
c) 70ns 25
µ
一个
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 注意.
函数的 块 图解
clk gen.
行
选择
i/o1~i/o8
数据
内容
数据
内容
Vcc
Vss
precharge 电路.
记忆 排列
1024 rows
1024
×
8 columns
i/o 电路
column 选择
管脚 描述
我们
OE
CS1
控制 逻辑
CS2
行
地址
column 地址
A4
A3
A2
A1
A0
CS1
NC
NC
i/o1
i/o2
Vcc
Vss
i/o3
i/o4
NC
NC
我们
A19
A18
A17
A16
A5
A6
A7
OE
CS2
A8
NC
NC
i/o8
i/o7
Vss
Vcc
i/o6
i/o5
NC
NC
A9
A10
A11
A12
44-tsop2
向前
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A15
A14
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