K7A401800B
128kx36/x32 &放大; 256kx18 同步的 sram
- 3 -
rev 1.0
十一月 2001
K7A403200B
K7A403600B
128kx36 &放大; 128kx32 &放大; 256kx18-位 同步的 pipelined burst sram
这 k7a403600b, k7a403200b 和 k7a401800b 是
4,718,592-位 同步的 静态的 随机的 进入 记忆
设计 为 高 效能 第二 水平的 cache 的 pen-
tium 和 电源 pc 为基础 系统.
它 是 有组织的 作 128k(256k) words 的 36(18) 位 和 inte-
grates 地址 和 控制 寄存器, 一个 2-位 burst 地址
计数器 和 增加 一些 新 功能 为 高 perfor-
mance cache 内存 产品;GW,BW,LBO, zz. 写
循环 是 内部 自-安排时间 和 同步的.
全部 总线-宽度 写 是 完毕 用GW, 和 各自 字节 写 是
执行 用 这 结合体 的我们x 和BW当GW是
高. 和 和CS1高,ADSP是 blocked 至 控制 信号.
burst 循环 能 是 initiated 和 也 这 地址 状态
处理器(ADSP) 或者 地址 状态 cache 控制(ADSC)
输入. subsequent burst 地址 是 发生 inter-
nally 在 这 系统
′
s burst sequence 和 是 控制 用
这 burst 地址 进步(ADV) 输入.
LBO管脚 是 直流 运作 和 确定 burst sequence(lin-
ear 或者 interleaved).
zz 管脚 控制 电源 向下 状态 和 减少 保卫-用
电流 regardless 的 clk.
这 k7a403600b, k7a403200b 和 k7a401800b 是 fab-
ricated 使用 samsung
′
s 高 效能 cmos tech-
nology 和 是 有 在 一个 100pin tqfp 包装. 多样的
电源 和 地面 管脚 是 使用 至 降低 地面
bounce.
一般 描述特性
逻辑 块 图解
•
同步的 运作.
•
2 平台 pipelined 运作 和 4 burst.
•
在-碎片 地址 计数器.
•
自-安排时间 写 循环.
•
在-碎片 地址 和 控制 寄存器.
•
VDD= 3.3v+0.3v/-0.165v 电源 供应.
•VDDQ供应 电压 3.3v+0.3v/-0.165v 为 3.3v i/o
或者 2.5v+0.4v/-0.125v 为 2.5v i/o.
•
5v tolerant 输入 除了 i/o 管脚.
•
字节 writable 函数.
•
global 写 使能 控制 一个 全部 总线-宽度 写.
•
电源 向下 状态 通过 zz 信号.
•
LBO管脚 准许 一个 选择 的 也 一个 interleaved burst 或者 一个 直线的
burst.
•
三 碎片 使能 为 简单的 depth expansion 和 非 数据 内容-
nention ; 2cycle 使能, 1cycle 使不能运转.
•
异步的 输出 使能 控制.
•
ADSP,ADSC,ADVburst 控制 管脚.
•
ttl-水平的 三-状态 输出.
•
100-tqfp-1420a .
•运行 在 commeical 和 工业的 温度 范围.
CLK
LBO
ADV
ADSC
ADSP
CS1
CS2
CS2
GW
BW
我们x
OE
ZZ
DQa0 ~ dqd7
burst 控制
逻辑
BURST
128kx36/32 , 256kx18
地址
控制
输出
数据-在
地址
计数器
记忆
排列
寄存器
寄存器
缓存区
逻辑
控制
寄存器
控制
寄存器
一个
′
0~A
′
1
一个0~A1
或者 一个2~A17
一个0~A16
寄存器
dqpa ~ dqpd
或者 一个0~A17
一个2~A16
(x=一个,b,c,d 或者 一个,b)
或者 dqa0 ~ dqb7
dqpa ~ dqpb
36/32 或者 18
快 进入 时间
参数 标识 -16 -14 单位
循环 时间 tCYC 6.0 7.2 ns
时钟 进入 时间 tCD 3.5 4.0 ns
输出 使能 进入 时间 tOE 3.5 4.0 ns
: 点此下载
