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资料编号:435172
 
资料名称:K9F1208U0
 
文件大小: 1139.02K
   
说明
 
介绍:
64M x 8 Bit NAND Flash Memory
 
 


: 点此下载
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k9f1208u0m-ycb0, k9f1208u0m-yib0 flash 记忆
3
修订 非
0.5
0.6
0.7
Remark
初步的
History
1. 增加 的 新 运作 : multi-平面 copy-后面的 程序.
- multi-平面 copy-后面的 程序 是 扩展 运作 的 一个-页
copy-后面的 程序.
=> 之后 successive 读 的 多样的 528 字节 数据 设置 在 这 源
平面, 这 在之上 数据 是 moved 至 内部的 页 寄存器 和 一样
程序 作 multi-平面 页 程序编制 是 executed.
1.powerup sequence 是 增加
: 恢复 时间 的 最小 1
µ
s 是 必需的 在之前 内部的 电路 gets
准备好 为 任何 command sequences
2. 交流 参数 tclr(cle 至RE延迟, 最小值 50ns) 是 增加.
1. copy-后面的 程序(dummy) 是 增加 在 command sets 表格.
(在之前 修订)
(之后 修订)
便条 2. 页 程序(真实) 和 copy-后面的 程序(真实) 是 有 在 1 平面
运作.
页 程序(dummy) 和 copy-后面的 程序(dummy) 是 有 在
这 2nd,3rd,4th 平面 的 multi 平面 运作.
函数
1st.
循环
2nd.
循环
3rd.
循环
页 程序 (真实) 80h 10h -
页 程序 (dummy) 80h 11h -
copy-后面的 程序(真实) 00h 8Ah 10h
函数
1st.
循环
2nd.
循环
3rd.
循环
页 程序 (真实)
(2)
80h 10h -
页 程序 (dummy)
(2)
80h 11h -
copy-后面的 程序(真实)
(2)
00h 8Ah 10h
copy-后面的 程序(dummy)
(2)
03h 8Ah 11h/10h
1
µ
s
V
CC
WP
~ 2.5v
~ 2.5v
我们
draft 日期
将. 30th 2001
jul. 23th 2001
8月. 23th 2001
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