ka1h0165rn/ka1h0165r
3
电的 特性 (sfet 部分)
(ta=25
°
c 除非 否则 指定)
便条:
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
2.
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=50
µ
一个 650 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=最大值., 比率,
V
GS
=0V
--50
µ
一个
V
DS
=0.8max., 比率,
V
GS
=0v, t
C
=125
°
C
- - 200
µ
一个
静态的 流-源 在 阻抗
(便条)
R
ds(在)
V
GS
=10v, i
D
=0.5a - 8 10
Ω
向前 跨导
(便条)
gfs V
DS
=50v, i
D
=0.5a 0.5 - - S
输入 电容 Ciss
V
GS
=0v, v
DS
=25v,
f=1MHz
- 250 -
pF输出 电容 Coss - 25 -
反转 转移 电容 Crss - 10 -
转变 在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
=0.5b v
DSS
, i
D
=1.0a
(场效应晶体管 切换
时间 是 essentially
独立 的
运行 温度)
-12-
nS
上升 时间 tr - 4 -
转变 止 延迟 时间 t
d(止)
-30-
下降 时间 tf - 10 -
总的 门 承担
(门-source+gate-流)
Qg
V
GS
=10v, i
D
=1.0a,
V
DS
=0.5b v
DSS
(场效应晶体管
切换 时间 是 essentially
独立 的 运行
温度)
--21
nC
门-源 承担 Qgs - 3 -
门-流 (miller) 承担 Qgd - 9 -
S
1
R
----=
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