KA5S12656YDTU_集成电路资料查询网

ka5s-序列 ka5s0765c/ka5s09654qt/ka5s0965/ka5s12656/
5
电的 特性 (sfet 部分)
(ta = 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
KA5S0765C
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=50
µ
一个 650 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=最大值., 比率, v
GS
=0V - - 50
µ
一个
V
DS
=0.8max., 比率,
V
GS
=0v, t
C
=125
°
C
- - 200
µ
一个
静态的 流-源 在 阻抗
(1)
R
DS
(在) V
GS
=10v, i
D
=4.0a - 1.25 1.6
Ω
向前 跨导
(1)
gfs V
DS
=15v, i
D
=4.0a 3.0 - - S
输入 电容 Ciss
V
GS
=0v, v
DS
=25v,
f = 1mhz
- 1600 -
pF
输出 电容 Coss - 310 -
反转 转移 电容 Crss - 120 -
转变 在 延迟 时间 td(在) V
DD
=0.5bv
DSS
, i
D
=7.0a
(场效应晶体管 切换
时间 是 essentially
独立 的
运行 温度)
-25-
nS
上升 时间 tr - 55 -
转变 止 延迟 时间 td(止) - 80 -
下降 时间 tf - 50 -
总的 门 承担
(门-source+gate-流)
Qg
V
GS
=10v, i
D
=7.0a,
V
DS
=0.5bv
DSS
(场效应晶体管
切换 时间 是
essentially 独立 的
运行 温度)
--72
nC
门-源 承担 Qgs - 9.3 -
门-流 (miller) 承担 Qgd - 29.3 -
KA5S09654QT
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=50
µ
一个 650 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=最大值., 比率, v
GS
=0V - - 200
µ
一个
V
DS
=0.8max., 比率,
V
GS
=0v, t
C
=125
°
C
- - 300
µ
一个
静态的 流-源 在 阻抗
(1)
R
DS
(在) V
GS
=10v, i
D
=4.5a - 1.1 1.2
Ω
向前 跨导
(1)
gfs V
DS
=50v, i
D
=4.5a 3.0 - - S
输入 电容 Ciss
V
GS
=0v, v
DS
=25v,
f = 1mhz
- 1300 -
pF
输出 电容 Coss - 135 -
反转 转移 电容 Crss - 25 -
转变 在 延迟 时间 td(在) V
DD
=0.5bv
DSS
, i
D
=9.0a
(场效应晶体管 切换
时间 是 essentially
独立 的
运行 温度)
-25-
nS
上升 时间 tr - 75 -
转变 止 延迟 时间 td(止) - 130 -
下降 时间 tf - 70 -
总的 门 承担
(门-source+gate-流)
Qg
V
GS
=10v, i
D
=9.0a,
V
DS
=0.5bv
DSS
(场效应晶体管
切换 时间 是
essentially 独立 的
运行 温度)
45 -
nC
门-源 承担 Qgs - 8 -
门-流 (miller) 承担 Qgd - 22 -

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ka5s-序列 ka5s0765c/ka5s09654qt/ka5s0965/ka5s12656/ 5 电的特性 (sfet 部分) (ta = 25 ° c 除非否则指定) 参数标识情况最小值典型值最大值单位 KA5S0765C 流-源损坏电压 BV DSS V GS =0v, i D =50 µ 一个 650 - - V 零门电压流电流 I DSS V DS =最大值., 比率, v GS =0V - - 50 µ 一个 V DS =0.8max., 比率, V GS =0v, t C =125 ° C - - 200 µ 一个静态的流-源在阻抗 (1) R DS (在) V GS =10v, i D =4.0a - 1.25 1.6 Ω 向前跨导 (1) gfs V DS =15v, i D =4.0a 3.0 - - S 输入电容 Ciss V GS =0v, v DS =25v, f = 1mhz - 1600 - pF 输出电容 Coss - 310 - 反转转移电容 Crss - 120 - 转变在延迟时间 td(在) V DD =0.5bv DSS , i D =7.0a (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -25- nS 上升时间 tr - 55 - 转变止延迟时间 td(止) - 80 - 下降时间 tf - 50 - 总的门承担 (门-source+gate-流) Qg V GS =10v, i D =7.0a, V DS =0.5bv DSS (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) --72 nC 门-源承担 Qgs - 9.3 - 门-流 (miller) 承担 Qgd - 29.3 - KA5S09654QT 流-源损坏电压 BV DSS V GS =0v, i D =50 µ 一个 650 - - V 零门电压流电流 I DSS V DS =最大值., 比率, v GS =0V - - 200 µ 一个 V DS =0.8max., 比率, V GS =0v, t C =125 ° C - - 300 µ 一个静态的流-源在阻抗 (1) R DS (在) V GS =10v, i D =4.5a - 1.1 1.2 Ω 向前跨导 (1) gfs V DS =50v, i D =4.5a 3.0 - - S 输入电容 Ciss V GS =0v, v DS =25v, f = 1mhz - 1300 - pF 输出电容 Coss - 135 - 反转转移电容 Crss - 25 - 转变在延迟时间 td(在) V DD =0.5bv DSS , i D =9.0a (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -25- nS 上升时间 tr - 75 - 转变止延迟时间 td(止) - 130 - 下降时间 tf - 70 - 总的门承担 (门-source+gate-流) Qg V GS =10v, i D =9.0a, V DS =0.5bv DSS (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) 45 - nC 门-源承担 Qgs - 8 - 门-流 (miller) 承担 Qgd - 22 -

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