KA5Q1565RFTU_集成电路资料查询网

ka5q-序列
4
电的 特性 (sfet 部分)
(ta=25
°
c 除非 否则 指定)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
KA5Q0765RT
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=50
µ
一个 650 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=最大值., 比率, v
GS
=0V - - 200
µ
一个
V
DS
=0.8max., 比率,
V
GS
=0v, t
C
=85
°
C
- - 300
µ
一个
静态的 流-源 在 阻抗
(1)
R
DS
(在) V
GS
=10v, i
D
=4.0a - 1.3 1.6
Ω
输入 电容 Ciss
V
GS
=0v, v
DS
=25v,
f = 1mhz
-1110-
pF
输出 电容 Coss - 105 -
反转 转移 电容 Crss - 50 -
转变 在 延迟 时间 td(在) V
DD
=0.5bv
DSS
, i
D
=7.0a
(场效应晶体管 切换
时间 是 essentially
独立 的
运行 温度)
-25-
nS
上升 时间 tr - 55 -
转变 止 延迟 时间 td(止) - 80 -
下降 时间 tf - 50 -
总的 门 承担
(门-source+gate-流)
Qg
V
GS
=10v, i
D
=7.0a,
V
DS
=0.5bv
DSS
(场效应晶体管
切换 时间 是
essentially 独立 的
运行 温度)
-5774
nC
门-源 承担 Qgs - 9.3 -
门-流 (miller) 承担 Qgd - 29.3 -
ka5q12656rt/ka5q1265rf
流-源 损坏 电压 BV
DSS
V
GS
=0v, i
D
=50
µ
一个 650 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=最大值., 比率, v
GS
=0V - - 200
µ
一个
V
DS
=0.8max., 比率,
V
GS
=0v, t
C
=85
°
C
- - 300
µ
一个
静态的 流-源 在 阻抗
(1)
R
ds(在)
V
GS
=10v, i
D
=6A - 0.7 0.9
Ω
输入 电容 Ciss
V
GS
=0v, v
DS
=25v,
f = 1mhz
- 1820 -
pF
输出 电容 Coss - 185 -
反转 转移 电容 Crss - 32 -
转变 在 延迟 时间 td(在) V
DD
=0.5bv
DSS
, i
D
=12.0a
(场效应晶体管 切换
时间 是 essentially
独立 的
运行 温度)
-38-
nS
上升 时间 tr - 120 -
转变 止 延迟 时间 td(止) - 200 -
下降 时间 tf - 100 -
总的 门 承担
(门-source+gate-流)
Qg
V
GS
=10v, i
D
=12.0a,
V
DS
=0.5bv
DSS
(场效应晶体管
切换 时间 是
essentially 独立 的
运行 温度)
-6078
nC
门-源 承担 Qgs - 10 -
门-流 (miller) 承担 Qgd - 30 -

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ka5q-序列 4 电的特性 (sfet 部分) (ta=25 ° c 除非否则指定) 参数标识情况最小值典型值最大值单位 KA5Q0765RT 流-源损坏电压 BV DSS V GS =0v, i D =50 µ 一个 650 - - V 零门电压流电流 I DSS V DS =最大值., 比率, v GS =0V - - 200 µ 一个 V DS =0.8max., 比率, V GS =0v, t C =85 ° C - - 300 µ 一个静态的流-源在阻抗 (1) R DS (在) V GS =10v, i D =4.0a - 1.3 1.6 Ω 输入电容 Ciss V GS =0v, v DS =25v, f = 1mhz -1110- pF 输出电容 Coss - 105 - 反转转移电容 Crss - 50 - 转变在延迟时间 td(在) V DD =0.5bv DSS , i D =7.0a (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -25- nS 上升时间 tr - 55 - 转变止延迟时间 td(止) - 80 - 下降时间 tf - 50 - 总的门承担 (门-source+gate-流) Qg V GS =10v, i D =7.0a, V DS =0.5bv DSS (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -5774 nC 门-源承担 Qgs - 9.3 - 门-流 (miller) 承担 Qgd - 29.3 - ka5q12656rt/ka5q1265rf 流-源损坏电压 BV DSS V GS =0v, i D =50 µ 一个 650 - - V 零门电压流电流 I DSS V DS =最大值., 比率, v GS =0V - - 200 µ 一个 V DS =0.8max., 比率, V GS =0v, t C =85 ° C - - 300 µ 一个静态的流-源在阻抗 (1) R ds(在) V GS =10v, i D =6A - 0.7 0.9 Ω 输入电容 Ciss V GS =0v, v DS =25v, f = 1mhz - 1820 - pF 输出电容 Coss - 185 - 反转转移电容 Crss - 32 - 转变在延迟时间 td(在) V DD =0.5bv DSS , i D =12.0a (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -38- nS 上升时间 tr - 120 - 转变止延迟时间 td(止) - 200 - 下降时间 tf - 100 - 总的门承担 (门-source+gate-流) Qg V GS =10v, i D =12.0a, V DS =0.5bv DSS (场效应晶体管切换时间是 essentially 独立的运行温度) -6078 nC 门-源承担 Qgs - 10 - 门-流 (miller) 承担 Qgd - 30 -

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