初步的
修订 0.3
km681000b 家族 cmos sram
april 1996
测试 情况
(2. 温度 和 vcc 情况)
产品 家族 温度 电源 供应(vcc) 速 bin Comments
km681000bl/l-l 0~70
¡É
5.0v
¡¾
10% 55/70ns 商业的
km681000ble/le-l -25~85
¡É
5.0v
¡¾
10% 70/100ns 扩展
km681000bli/li-l -40~85
¡É
5.0v
¡¾
10% 70/100ns 工业的
参数 列表 为 各自 速 bin
参数 列表 标识
速 bins
单位
55ns 70ns 100ns
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 读 循环 时间
tRC
55 - 70 - 100 - ns
地址 进入 时间
tAA
- 55 - 70 - 100 ns
碎片 选择 至 输出
tco1,tCO2
- 55 - 70 - 100 ns
输出 使能 至 有效的 输出
tOE
- 25 - 35 - 50 ns
碎片 选择 至 低-z 输出
tlz1,tLZ2
10 - 10 - 10 - ns
输出 使能 至 低-z 输出
tOLZ
5 - 5 - 5 - ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出
thz1,tHZ2
0 20 0 25 0 30 ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出
tOHZ
0 20 0 25 0 30 ns
输出 支撑 从 地址 改变
tOH
10 - 10 - 10 - ns
写 写 循环 时间
tWC
55 - 70 - 100 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写
tCW
45 - 60 - 80 - ns
地址 设置-向上 时间
t作
0 - 0 - 0 - ns
地址 有效的 至 终止 的 写
tAW
45 - 60 - 80 - ns
写 脉冲波 宽度
tWP
40 - 50 - 60 - ns
写 恢复 时间
tWR
0 - 0 - 0 - ns
写 至 输出 高-z
tWHZ
0 20 0 25 0 30 ns
数据 至 写 时间 overlap
tDW
25 - 30 - 40 - ns
数据 支撑 从 写 时间
tDH
0 - 0 - 0 - ns
终止 写 至 输出 低-z
tOW
5 - 5 - 5 - ns
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