©2002 仙童 半导体 公司
KSC1623
rev. a2, 九月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 charactersitic 图示 2. 转移 典型的
图示 3. 直流 电流 增益 图示 4. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 输出 电容 图示 6. 电流 增益 带宽 产品
0 4 8 12 16 20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
B
= 400
µ
一个
I
B
= 350
µ
一个
I
B
= 300
µ
一个
I
B
= 250
µ
一个
I
B
= 200
µ
一个
I
B
= 150
µ
一个
I
B
= 100
µ
一个
I
B
= 50
µ
一个
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.1
1
10
100
V
CE
= 6v
I
C
[ma], 集电级 电流
V
是
[v],根基-发射级 电压
1 10 100 1000
10
100
1000
V
CE
= 6v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100 1000
10
1000
I
C
=10I
B
V
是
(sat)
V
CE
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100 1000
0.1
1
10
100
f=1MHz
I
E
=0
C
ob
[pf], 电容
V
CB
(v), 集电级-根基 电压
0.1 1 10 100
1
10
100
1000
V
CE
=6V
f
T
[mhz],
电流 增益-带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流
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