©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 8月 2001
KSC1008
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 比率 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 80 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 60 V
V
EBO
发射级-根基 电压 8 V
I
C
集电级 电流 700 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 800 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=100
µ
一个, i
E
=0 80 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=10ma, i
B
=0 60 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=10
µ
一个, i
C
=0 8 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=60v, i
E
=0 0.1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=5v, i
C
=0 0.1
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=2v, i
C
=50mA 40 400
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=500ma, i
B
=50mA 0.2 0.4 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=500ma, i
B
=50ma 0.86 1.1 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=10v, i
C
=50mA 30 50 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz 8 pF
分类 r O Y G
h
FE
40 ~ 80 70 ~ 140 120 ~ 240 200 ~ 400
KSC1008
低 频率 放大器 中等 速
切换
• complement 至 ksa708
• 高 集电级-根基 电压 : v
CBO
=80V
• 集电级 电流 : i
C
=700mA
• 集电级 电源 消耗 : p
C
=800mW
• 后缀 “-c” 意思 中心 集电级 (1. 发射级 2. 集电级 3. base)
1. 发射级 2. 根基 3. 集电级
至-92
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