©2000 仙童 半导体 国际的
KSC2073
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 集电级-发射级 在 电压
图示 5. safe 运行 范围 图示 6. 电源 减额
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
B
=1mA
I
B
=2mA
I
B
=3mA
I
B
=4mA
I
B
=5mA
I
B
=6mA
I
B
=7mA
I
B
=8mA
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.01 0.1 1 10
10
100
1000
V
CE
=10V
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
I
C
=10I
B
V
是
(sat),v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
1 10 100
10
100
1000
f=1MHz
I
E
=0
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
10 100
0.1
1
10
s/b 限制
s/b 限制热的 限制
直流
*1mS
1.t
C
=25
℃
2.*single 脉冲波
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级 发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P
D
[w], 电源 消耗
T
C
[
℃
], 情况 温度
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