©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
KSD362
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
c 除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 150 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 70 V
V
EBO
发射级-根基 电压 8 V
I
C
集电级 电流 5 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 40 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 1ma, i
E
= 0 150 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
= 2ma, r
是
=
∞
70 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 1ma, i
C
= 0 8 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 100v, i
E
= 0 20
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= 5v, i
C
= 5a 20 140
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 5a, i
B
= 0.5a 1 V
V
是
(sat) 根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 5a, i
B
= 0.5a 1.5 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 5v, i
C
= 0.5a 10 MHz
分类 N R O
h
FE
20 ~ 50 40 ~ 80 70 ~ 140
KSD362
b/w tv horizontal deflection 输出
• 集电级-根基 电压 : v
CBO
=150V
• 集电级 电流 : i
C
=5A
• 集电级 消耗 : p
C
=40w(t
C
=25
°
c)
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-220
: 点此下载
