©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
KSE13009L
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级 输出 电容 图示 4. 转变 在 时间
图示 5. 转变 止 时间
0.1 1 10 100
1
10
100
V
CE
= 5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100 1000
1
10
100
1000
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.1 1 10 100
10
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
D
, v
是
(止)=5v
t
R
t
R
, t
D
[
µ
s], 转变 在 时间
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
F
t
STG
t
STG
, t
F
[
µ
s], 转变 止 时间
I
C
[a], 集电级 电流