©2002 仙童 半导体 公司
ksh32/32c
rev. a4, october 2002
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级 电容 图示 4. 转变 在 时间
图示 5. 转变 止 时间 图示 6. safe 运行 范围
-0.01 -0.1 -1 -10
1
10
100
1000
V
CE
= -2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-1e-3 -0.01 -0.1 -1 -10
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100
1
10
100
1000
C
ob
(pf), 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
-0.01 -0.1 -1 -10
0.1
1
t
R
, v
CC
=-30v
t
R
, v
CC
=-10v
t
C
= 10.i
B
t
D
, v
是
(止)=-2v
t
R
, t
D
[
µ
s], 转变 在 时间
I
C
[a], 集电级 电流
-0.01 -0.1 -1 -10
0.1
1
t
STG
t
F
, v
CC
=-30v
I
C
= 10.i
B
t
F
, v
CC
(止)=-10v
t
F
, t
STG
[
µ
s], 转变 止 时间
I
C
[a], 集电级 电流
-1 -10 -100 -1000
-0.01
-0.1
-1
-10
KSH32
100
µ
s
500
µ
s
KSH32C
1ms
直流
I
CP
(最大值)
I
C
(最大值)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
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