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©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, july 2001
ksp92/93
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 饱和 电压
图示 3. 电容 图示 4. 电流 增益 带宽 产品
图示 5. 起作用的-regio safe 运行 范围
-1 -10 -100 -1000
1
10
100
1000
V
CE
= -10v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
-1 -10 -100 -1000
-10
-100
-1000
-10000
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[mv], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100
1
10
100
C
ib
C
ob
C
ib
[pf], c
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
-1 -10 -100
10
100
1000
V
CE
= -20v
f = 100mhz
f
T
[mhz],
电流 增益 带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流
-3 -10 -100 -400
-5
-10
-100
-500
1.5 watt 热的
LIMITATION@T
C
=25
℃
625mw 热的
LIMITATION@T
一个
=25
℃
使牢固结合 线 限制
第二 损坏
限制
T
j
=150
℃
KSP93
KSP92
100
µ
s
1ms
直流
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压

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©2001 仙童半导体公司 rev. a1, july 2001 ksp92/93 典型特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 饱和电压图示 3. 电容图示 4. 电流增益带宽产品图示 5. 起作用的-regio safe 运行范围 -1 -10 -100 -1000 1 10 100 1000 V CE = -10v h FE , 直流电流增益 I C [ma], 集电级电流 -1 -10 -100 -1000 -10 -100 -1000 -10000 I C = 10 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[mv], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 -0.1 -1 -10 -100 1 10 100 C ib C ob C ib [pf], c ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 -1 -10 -100 10 100 1000 V CE = -20v f = 100mhz f T [mhz], 电流增益带宽产品 I C [ma], 集电级电流 -3 -10 -100 -400 -5 -10 -100 -500 1.5 watt 热的 LIMITATION@T C =25 ℃ 625mw 热的 LIMITATION@T 一个 =25 ℃ 使牢固结合线限制第二损坏限制 T j =150 ℃ KSP93 KSP92 100 µ s 1ms 直流 I C [ma], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压

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