©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 十一月 2002
KST2222A
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 75 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 40 V
V
EBO
发射级-根基 电压 6 V
I
C
集电级 电流 600 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 350 mW
T
STG
存储 温度 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=10
µ
一个, i
E
=0 75 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=10ma, i
B
=0 40 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=10
µ
一个, i
C
=0 6 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=60v, i
E
=0 0.01
µ
一个
h
FE
* 直流 电流 增益 V
CE
=10v, i
C
=0.1ma
V
CE
=10v, i
C
=1mA
V
CE
=10v, i
C
=10mA
V
CE
=10v, i
C
=150mA
V
CE
=10v, i
C
=500mA
35
50
75
100
40
300
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=150ma, i
B
=15mA
I
C
=500ma, i
B
=50mA
0.3
1.0
V
V
V
是
(sat) * 根基-发射级 饱和 电压 I
C
=150ma, i
B
=15mA
I
C
=500ma, i
B
=50mA
0.6 1.2
2.0
V
V
f
T
电流 增益 带宽 产品 I
C
=20ma, v
CE
=20v, f=100mhz 300 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz 8 pF
NF 噪音 图示 I
C
=100
µ
一个, v
CE
=10V
R
S
=1K
Ω
, f=1mhz
4dB
t
在
转变 在 时间 V
CC
=30v, i
C
=150mA
V
是
=0.5v, i
B1
=15mA
35 ns
t
止
转变 止 时间 V
CC
=30v, i
C
=150mA
I
B1
=I
B2
=15mA
285 ns
1. 根基 2. 发射级 3. 集电级
KST2222A
一般 目的 晶体管
1P
标记
sot-23
1
2
3
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