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资料编号:442613
 
资料名称:L14F1
 
文件大小: 236.05K
   
说明
 
介绍:
HERMETIC SILICON PHOTODARLINGTON
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.fairchildsemi.com 2 的 4 6/01/01 DS300306
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-发射级 损坏 I
C
= 10 毫安, ee = 0 BV
CEO
25 V
发射级-根基 损坏 I
E
= 100
µ
一个, ee = 0 BV
EBO
12 V
集电级-根基 损坏 I
C
= 100
µ
一个, ee = 0 BV
CBO
25 V
集电级-发射级 泄漏 V
CE
= 12 v, ee = 0 I
CEO
100 nA
reception 角度 在 1/2 敏锐的
θ
±8 Degrees
在-状态 集电级 电流 l14f1
ee = .125 mw/cm
2
, v
CE
= 5 v
(7)
I
c(在)
7.5 毫安
在-状态 集电级 电流 l14f2
ee = .125 mw/cm
2
, v
CE
= 5 v
(7
)
I
c(在)
2.5 毫安
上升 时间
I
C
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
=100
t
r
300
µ
s
下降 时间
I
C
= 10 毫安, v
CC
= 5 v, r
L
=100
t
f
250
µ
s
电的 / 视力的 特性
(t
一个
=25°c) (所有 度量 制造 下面 脉冲波 情况)
参数 标识 比率 单位
运行 温度 T
OPR
-65 至 +125 °C
存储 温度 T
STG
-65 至 +150 °C
焊接 温度 (iron)
(3,4,5 和 6)
T
sol-i
240 为 5 秒 °C
焊接 温度 (流动)
(3,4 和 6)
T
sol-f
260 为 10 秒 °C
集电级 至 发射级 损坏 电压
V
CEO
25 V
集电级 至 根基 损坏 电压 V
CBO
25 V
发射级 至 根基 breakdwon 电压 V
EBO
12 V
电源 消耗 (t
一个
= 25°c)
(1)
P
D
300 mW
电源 消耗 (t
C
= 25°c)
(2)
P
D
600 mW
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
便条:
1. 减额 电源 消耗 成直线地 3.00 mw/°c 在之上 25°c 包围的.
2. 减额 电源 消耗 成直线地 6.00 mw/°c 在之上 25°c 情况.
3. rma 通量 是 推荐.
4. methanol 或者 isopropyl alcohols 是 推荐 作 cleaning agents.
5. 焊接 iron tip
1/16”
(1.6mm) 最小 从 housing.
6. 作 长 作 leads 是 不 下面 任何 压力 或者 spring tension.
7. 明亮的 源 是 一个 gaas led 发出 明亮的 在 一个 顶峰 wavelength 的 940 nm.
8. 图示 1 和 图示 2 使用 明亮的 源 的 tungsten lamp 在 2870°k 颜色 温度. 一个 gaas 源 的 0.05 mw/cm
2
是 大概
相等的 至 一个 tungsten 源, 在 2870°k, 的 0.2 mw/cm
2
.
L14F1 L14F2
密封的 硅
PHOTODARLINGTON
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