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3 - 8
mubw 35-06 a6
brake chopper t7, d7
标识 情况 最大 比率
V
CES
T
VJ
= 25°c 600 V
V
CGR
T
VJ
= 25°c; r
GE
= 20k

600 V
V
GE
T
VJ
= 25°c
±
20 V
I
C
T
C
=  25°c 23 一个
T
C
=  90°c 13 一个
I
CM
t
p
= 1 ms = 1% 职责 循环; T
C
= 25°c 46 一个
T
C
= 90°c 26 一个
t
SC
igbt v
CE
= 600 v; t
VJ
= 125°c
非-repetitive 10 µs
P
tot
T
C
= 25°c 68 W
T
VJ
自由-转动 二极管 +150 °C
T
VJ
IGBT +150 °C
标识 情况 典型的 值
(t
VJ
= 25

c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
I
CES
V
GE
= 0 v; v
CE
= 600 v 1 毫安
I
GES
V
CE
= 0 v; v
GE
= 25 v 100 nA
V
ge(th)
V
GE
= v
CE
; i
C
= 0.4 毫安 4.5 5.5 6.5 V
V
(br)ces
V
GE
= 0 v; i
C
= 10 毫安; t
VJ
= -40°c 600 V
V
ce(sat)
V
GE
= 15 v; i
C
= 15 一个; t
VJ
=   25°c 2.1 2.5 V
T
VJ
= 125°c 2.4 2.8 V
t
f
25 ns
t
r
25 ns
t
d(在)
30 ns
t
d(止)
200 ns
E
止
0.5 mJ
E
在
0.7 mJ
C
iss
800 pF
C
oss
85 pF
C
rss
52 pF
g
fs
V
CE
= 20 v; i
C
= 15 一个 4.5 S
Q
g
V
CC
= 300 v; i
C
= 15 一个 脉冲波; v
GE
= 15 v 59

C
V
F
I
F
= 15 一个; v
GE
= 0 v; T
VJ
=   25°c 2 V
T
VJ
= 125°c 1.8 V
t
rr
I
F
= 15 一个; v
R
= -300 v; t
VJ
= 125°c 0.25 µs
di
F
/dt = -500 一个/µs; v
GE
= 0 v
Q
r
I
F
= 15 一个; v
R
= -300 v; T
VJ
=   25°c 0.4 µC
di
F
/dt = -500 一个/µs; v
GE
= 0 v;  t
VJ
= 125°c 1.3 µC
I
r
250 µA
R
thJC
IGBT (每 消逝) 1.5 °c/w
二极管 (每 消逝) 2.0 °c/w
inductive 加载, t
VJ
= 125°c
V
CC
= 300 v; i
C
= 15 一个
R
G
= 68

; v
GE
=
±
15 v
V
GE
= 0 v
V
CE
= 25 v
f = 1 mhz

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© 2000 ixys 所有权利保留 3 - 8 mubw 35-06 a6 brake chopper t7, d7 标识情况最大比率 V CES T VJ = 25°c 600 V V CGR T VJ = 25°c; r GE = 20k  600 V V GE T VJ = 25°c ± 20 V I C T C = 25°c 23 一个 T C = 90°c 13 一个 I CM t p = 1 ms = 1% 职责循环; T C = 25°c 46 一个 T C = 90°c 26 一个 t SC igbt v CE = 600 v; t VJ = 125°c 非-repetitive 10 µs P tot T C = 25°c 68 W T VJ 自由-转动二极管 +150 °C T VJ IGBT +150 °C 标识情况典型的值 (t VJ = 25  c, 除非否则指定) 最小值典型值最大值 I CES V GE = 0 v; v CE = 600 v 1 毫安 I GES V CE = 0 v; v GE = 25 v 100 nA V ge(th) V GE = v CE ; i C = 0.4 毫安 4.5 5.5 6.5 V V (br)ces V GE = 0 v; i C = 10 毫安; t VJ = -40°c 600 V V ce(sat) V GE = 15 v; i C = 15 一个; t VJ = 25°c 2.1 2.5 V T VJ = 125°c 2.4 2.8 V t f 25 ns t r 25 ns t d(在) 30 ns t d(止) 200 ns E 止 0.5 mJ E 在 0.7 mJ C iss 800 pF C oss 85 pF C rss 52 pF g fs V CE = 20 v; i C = 15 一个 4.5 S Q g V CC = 300 v; i C = 15 一个脉冲波; v GE = 15 v 59  C V F I F = 15 一个; v GE = 0 v; T VJ = 25°c 2 V T VJ = 125°c 1.8 V t rr I F = 15 一个; v R = -300 v; t VJ = 125°c 0.25 µs di F /dt = -500 一个/µs; v GE = 0 v Q r I F = 15 一个; v R = -300 v; T VJ = 25°c 0.4 µC di F /dt = -500 一个/µs; v GE = 0 v; t VJ = 125°c 1.3 µC I r 250 µA R thJC IGBT (每消逝) 1.5 °c/w 二极管 (每消逝) 2.0 °c/w inductive 加载, t VJ = 125°c V CC = 300 v; i C = 15 一个 R G = 68  ; v GE = ± 15 v V GE = 0 v V CE = 25 v f = 1 mhz

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