boostrap 电容
至 确保 那 这 电源 dmos 晶体管 是
驱动 correctly 门 至 源 电压 的 典型值 10
v 必须 是 有保证的 为 所有 的 这 n-频道
dmos 晶体管. 这个 是 容易 至 是 提供 为
这 更小的 电源 dmos 晶体管 作 它们的
来源 是 refered 至 地面 但是 一个 门 电压
更好 比 这 供应 电压 是 需要 至
驱动 这 upper 晶体管. 这个 是 达到 用 一个
内部的 承担 打气 电路 那 guarantees cor-
rect 直流 驱动 在 结合体 和 这 boostrap cir-
cuit. 为 效率高的 charging 这 值 的 这 boos-
trap 电容 应当 是 更好 比 这 输入
电容 的 这 电源 晶体管 这个 是
周围 1 nf. 它 是 推荐 那 一个 capaci-
tance 的 在 least 10 nf 是 使用 为 这 自举. 如果
一个 小 电容 是 使用 那里 是 一个 风险 那 这
电源 晶体管 将 不 是 全部地 转变 在 和
它们 将 显示 一个 高等级的 rds (在). 在 这 其它
hand 如果 一个 提升 值 是 使用 它 是 可能 那
一个 电流 尖刺 将 是 生产 在 这 sense re-
sistor.
涉及 电压
至 用-通过 这 内部的 ref. volt. 电路 它 是 rec-
ommended 那 一个 电容 是 放置 在 它的
管脚 和 地面. 一个 值 的 0.22
µ
f 应当 是 suf-
ficient 为 大多数 产品. 这个 管脚 是 也 pro-
tected 相反 一个 短的 电路 至 地面: 一个 最大值
电流 的 2ma 最大值 能 是 sinked 输出.
dead 时间
至 保护 这 设备 相反 同时发生的 con-
duction 在 两个都 arms 的 这 桥 结果 在 一个
栏杆 至 栏杆 短的 电路, 这 整体的 逻辑 控制
提供 一个 dead 时间 更好 比 40 ns.
热的 保护
一个 热的 保护 电路 有 被 包含
那 将 使不能运转 这 设备 如果 这 接合面 tempera-
ture reaches 150
°
c. 当 这 温度 有
fallen 至 一个 safe 水平的 这 设备 restarts 这 输入
和 使能 信号 下面 控制.
应用 信息
Recirculation
在 recirculation 和 这 使能 输入 高,
这 电压 漏出 横过 这 晶体管 是 rds
(在)
⋅
il, clamped 在 一个 电压 取决于 在 这
特性 的 这 源-流 二极管. al-
though 这 设备 是 保护 相反 交叉 con-
duction, 电流 尖刺 能 呈现 在 这 电流
sense 管脚 预定的 至 承担/释放 phenomena 在
这 intrinsic 源 流 capacitances. 在 这 ap-
plication 这个 做 不 导致 任何 问题 是-
导致 这 电压 尖刺 发生 在 这 sense
电阻 是 masked 用 这 电流 控制 电路.
上升 时间 t
r
(看 图. 16)
当 一个 diagonal 的 这 桥 是 转变 在 cur-
rent begins 至 流动 在 这 inductive 加载 直到 这
最大 电流 i
L
是 reached 之后 一个 时间 t
r
.
这 dissipated 活力 e
止/在
是 在 这个 情况 :
E
止/在
= [r
ds (在)
⋅
I
L
2
⋅
T
r
]
⋅
2/3
加载 时间 t
LD
(看 图.16)
在 这个 时间 这 活力 dissipated 是 预定的 至
这 在 阻抗 的 这 晶体管 (e
LD
) 和 预定的
至 commutation (e
COM
). 作 二 的 这 电源
dmos 晶体管 是 在, e
在
是 给 用 :
E
LD
= i
L
2
⋅
R
ds (在)
⋅
2
⋅
T
LD
在 这 commutation 这 活力 dissipated 是 :
E
COM
= v
S
⋅
I
L
⋅
T
COM
⋅
f
转变
⋅
T
LD
在哪里 :
T
COM
= t
转变-在
= t
转变-止
f
转变
= chopping 频率.
下降 时间 t
f
(看 图. 16)
它 是 assumed 那 这 活力 dissipated 在 这个
部分 的 这 循环 takes 这 一样 表格 作 那
显示 为 这 上升 时间 :
E
开关
= [r
ds (在)
⋅
I
L
2
⋅
T
f
]
⋅
2/3
图示 16.
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