电路 描述
这 l6201/1ps/2/3 是 一个 大而单一的 全部 桥
切换 发动机 驱动器 认识到 在 这 新 mul-
tipower-bcd 技术 这个 准许 这 integra-
tion 的 多样的, 分开的 dmos 电源 晶体管
加 mixed cmos/双极 控制 电路. 在 这个
方法 它 有 被 可能 至 制造 所有 这 控制
输入 ttl, cmos 和
µ
c 兼容 和 elimi-
nate 这 necessity 的 外部 mos 驱动 混合-
nents. 这 逻辑 驱动 是 显示 在 表格 1.
表格 1
输入
输出 mosfets (*)
V
EN
= h
IN1 IN2
L
L
H
H
L
H
L
H
下沉 1, 下沉 2
下沉 1, 源 2
源 1, 下沉 2
源 1, 源 2
V
EN
= l X X 所有 晶体管 转变 止
l = low h = 高 x = don’t 小心
(*) 号码 涉及 至 input1 或者 input2 控制 输出 stages
虽然 这 设备 guarantees 这 absence 的
交叉-传导, 这 存在 的 这 intrinsic di-
odes 在 这 电源 dmos 结构 导致 这
一代 的 电流 尖刺 在 这 感觉到 termi-
nals. 这个 是 预定的 至 承担-释放 phenomena
在 这 电容 c1 &放大; c2 有关联的 和 这
流 源 汇合处 (图. 14). 当 这 输出
switches 从 高 至 低, 一个 电流 尖刺 是 gen-
erated 有关联的 和 这 电容 c1. 在 这
低-至-高 转变 一个 尖刺 的 这 一样 极性
是 发生 用 c2, preceded 用 一个 尖刺 的 这
opposite 极性 预定的 至 这 charging 的 这 输入
capacity 的 这 更小的 电源 dmos 晶体管
(图. 15).
晶体管 运作
在 状态
当 一个 的 这 电源 dmos 晶体管 是 在
它 能 是 考虑 作 一个 电阻 r
ds (在)
全部地 这 推荐 运行 范围. 在
这个 情况 这 dissipated 电源 是 给 用 :
P
在
= r
ds (在)
⋅
I
DS
2
(rms)
这 低 r
ds (在)
的 这 multipower-bcd 处理
能 提供 高 电流 和 低 电源 dissipa-
tion.
止 状态
当 一个 的 这 电源 dmos 晶体管 是
止 这 v
DS
电压 是 equal 至 这 供应 volt-
age 和 仅有的 这 泄漏 电流 i
DSS
flows. 这
电源 消耗 在 这个 时期 是 给 用 :
P
止
= v
S
⋅
I
DSS
这 电源 消耗 是 非常 低 和 是 negligible
在 comparison 至 那 dissipated 在 这 在
状态.
Transitions
作 already seen 在之上 这 晶体管 有 一个 在-
trinsic 二极管 在 它们的 源 和 流 那
能 运作 作 一个 快 freewheeling 二极管 在
切换 模式 产品. 在 recirculation
和 这 使能 输入 高, 这 电压 漏出
横过 这 晶体管 是 r
ds (在)
⋅
I
D
和 当 它
reaches 这 二极管 向前 电压 它 是 clamped.
当 这 使能 输入 是 低, 这 电源
mos 是 止 和 这 二极管 carries 所有 的 这 recir-
culation 电流. 这 电源 dissipated 在 这 tran-
sitional 时间 在 这 循环 取决于 在之上 这 volt-
age-电流 波形 和 在 这 驱动 模式.
(看 图. 7ab 和 图. 8abc).
P
trans.
= i
DS
(t)
⋅
V
DS
(t)
图示 14:
intrinsic 结构 在 这 电源
dmos 晶体管
图示 15:
电流 典型 尖刺 在 这 敏感性-
ing 管脚
l6201 - l6202 - l6203
10/20
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