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L6225
电的 特性
(t
amb
=25
°
c, V
s
= 48v, 除非 否则 指定)
(5) Resistive 加载 使用. 看 图. 1.
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
S
供应 电压 8 52 V
I
S
安静的 供应 电流 所有 Bridges 止; -25
°
c<t
j
<125
°
C 5.5 10 毫安
T
j
热的 关闭 温度 150
°
C
Output DMOS 晶体管
I
DSS
泄漏 电流 V
S
= 52V 1 毫安
R
ds(在)
高-一侧 + 低-一侧 转变 在
阻抗
T
j
=25
°
C 1.47 1.69
Ω
T
j
=125
°
C 2.35 2.7
Ω
源 流 二极管s
V
SD
向前 在 电压 I
SD
= 1.4a, EN = 低 1.2 V
t
rr
反转 恢复 Time I
f
= 1.4a 300 ns
t
fr
向前 恢复 时间 200 ns
切换 比率
t
d(在)en
使能 至 输出 转变 在 延迟 时间
(5)
I
加载
= 1.4 一个 250 ns
t
d(在)在
输入 至 输出 转变 在 延迟 时间
(5)
600 ns
t
在
输出 上升 时间
(5)
20 105 300 ns
t
d(止)en
使能 至 输出 转变 止 延迟 时间
(5)
450 ns
t
d(止)在
输入 至 输出 转变 止 延迟 时间
(5)
500 ns
t
止
输出 下降 时间
(5)
20 78 300 ns
t
dt
Dead 时间 保护 1
µ
s
f
CP
承担 打气 频率 0.75 1 MHz
UVLO 竞赛
V
th(在)
转变 在 门槛 6.6 7 7.4 V
V
th(止)
转变 止 门槛 5.6 6 6.4 V
逻辑 Input
V
INL
低 水平的 逻辑 输入 电压 -0.3 0.8 V
V
INH
高 水平的 逻辑 输入 电压 2 7 V
I
INH
高 水平的 逻辑 输入 电流 V
在, EN
=5V 70
µ
一个
I
INL
低 水平的 逻辑 输入 电流 V
在, EN
= 地 -10
µ
一个
在 电流 保护
I
S 在
输入 供应 在 电流
保护 门槛
2 2.8 3.55 一个
V
DIAG
打开 流 低 水平的 输出
电压
I = 4 毫安 0.4 V
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