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资料编号:443768
 
资料名称:L6205N
 
文件大小: 388.54K
   
说明
 
介绍:
DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER
 
 


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L6205
非-dissipative overcurrent 保护
这 l6205 integrates 一个 overcurrent 发现 电路 (ocd). 这个 电路 提供 保护 相反 一个 短的
电路 至 地面 或者 在 二 阶段 的 这 桥. 和 这个 内部的 在 电流 发现, 这 外部 cur-
rent sense 电阻 正常情况下 使用 和 它的 有关联的 电源 消耗 是 eliminated. 图示 7 显示 一个 simpli-
fied 图式 的 这 overcurrent 发现 电路.
至 执行 这 在 电流 发现, 一个 感觉到 元素 那 delivers 一个 小 但是 准确的 fraction 的 这 输出-
放 电流 是 执行 和 各自 高 一侧 电源 mos. 自从 这个 电流 是 一个 小 fraction 的 这 输出
电流 那里 是 非常 little 额外的 电源 消耗. 这个 电流 是 对照的 和 一个 内部的 涉及 cur-
rent i
REF
. 当 这 输出 电流 在 一个 桥 reaches 这 发现 门槛 (典型地 5.6a) 这 相关的
ocd 比较器 信号 一个 故障 情况. 当 一个 故障 情况 是 发现, 这 en 管脚 是 牵引的 在下 这 转变
止 门槛 (1.3v 典型) 用 一个 内部的 打开 流 mos 和 一个 拉 向下 能力 的 4ma. 用 使用 一个 ex-
ternal r-c 在 这 en 管脚, 这 止 时间 在之前 recovering 正常的 运作 能 是 容易地 编写程序 用 意思
的 这 精确 门槛 的 这 逻辑 输入.
图示 7. overcurrent 保护 simplified 图式
图示 8 显示 这 overcurrent 发现 运作. 这 使不能运转 时间 t
使不能运转
在之前 recovering 正常的 opera-
tion 能 是 容易地 编写程序 用 意思 的 这 精确 门槛 的 这 逻辑 输入. 它 是 影响 whether 用
C
EN
和 r
EN
值 和 它的 巨大 是 reported 在 图示 9. 这 延迟 时间 t
延迟
在之前 turning 止 这 桥
当 一个 overcurrent 有 被 发现 取决于 仅有的 用 c
EN
值. 它的 巨大 是 reported 在 图示 10.
C
EN
是 也 使用 为 供应 免除 至 管脚 en 相反 快 瞬时 noises. 因此 这 值 的 c
EN
应当 是 选择 作 big 作 可能 符合 至 这 最大 tolerable 延迟 时间 和 这 r
EN
值 应当
是 选择 符合 至 这 desired 使不能运转 时间.
这 电阻 r
EN
应当 是 选择 在 这 范围 从 2.2k
至 180k
. 推荐 值 为 r
EN
和 c
EN
是 各自 100k
和 5.6nf 那 准许 获得 200
µ
s 使不能运转 时间.
+
在 温度
I
REF
(i
1A
+I
2A
) / n
I
1A
/ n
电源 sense
1 cell
电源 sense
1 cell
电源 dmos
n cells
电源 dmos
n cells
高 一侧 dmoss 的
这 桥 一个
OUT1
一个
OUT2
一个
VS
一个
I
1A
I
2A
I
2A
/ n
OCD
比较器
至 门
逻辑
内部的
打开-流
R
ds(在)
40
典型值
C
EN
R
EN
EN
一个
+5V
µ
c 或者 逻辑
D02IN1353
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