为 两个都 高 和 低 一侧 缓存区 @25˚c tamb
0 1 2 3 4 5 c (nf)
0
50
100
150
200
250
时间
(nsec)
Tr
D99IN1054
Tf
图示 1. 典型 上升 和 下降 时间 vs.
加载 电容
0246810121416V
S
(v)
10
10
2
10
3
10
4
Iq
(
µ
一个)
D99IN1055
图示 2. 安静的 电流 vs. 供应
电压
输入 逻辑
l6387 输入 逻辑 是 v
CC
(17v) 兼容. 一个 在-
terlocking 特性 是 offered (看 真实 表格 是-
低) 至 避免 undesired 同时发生的 转变 在 的
两个都 电源 switches 驱动.
表格 1.
输入 HIN 0011
LIN 0 1 0 1
输出 HVG 0 0 1 0
LVG 0 1 0 0
自举 驱动器
一个 自举 电路系统 是 需要 至 供应 这 高
电压 部分. 这个 函数 是 正常情况下 accom-
plished 用 一个 高 电压 快 恢复 二极管 (图.
3a). 在 这 l6387 一个 专利的 整体的 结构
替代 这 外部 二极管. 它 是 认识到 用 一个
高 电压 dmos, 驱动 synchronously 和
这 低 一侧 驱动器 (lvg), 和 在 序列 一个 二极管,
作 显示 在 图. 3b
一个 内部的 承担 打气 (图. 3b) 提供 这
dmos 驱动 电压 .
这 二极管 连接 在 序列 至 这 dmos 有
被 增加 至 避免 不想要的 转变 在 的 它.
cboot 选择 和 charging
:
至 choose 这 恰当的 c
激励
值 这 外部
mos 能 是 seen 作 一个 相等的 电容.
这个 电容 c
EXT
是 related 至 这 mos 总的
门 承担 :
C
EXT
=
Q
门
V
门
这 比率 在 这 电容 c
EXT
和 c
激励
是 均衡的 至 这 cyclical 电压 丧失 .
它 有 至 是:
C
激励
>>>c
EXT
e.g.: 如果 q
门
是 30nc 和 v
门
是 10v, c
EXT
是
3nf. 和 c
激励
= 100nf 这 漏出 将 是
300mv.
如果 hvg 有 至 是 有提供的 为 一个 长 时间, 这
C
激励
选择 有 至 引领 在 账户 也 这
泄漏 losses.
e.g.: hvg 稳步的 状态 消耗量 是 更小的 比
200
µ
一个, 所以 如果 hvg t
在
是 5ms, c
激励
有 至
供应 1
µ
c 至 c
EXT
. 这个 承担 在 一个 1
µ
f ca-
pacitor 意思 一个 电压 漏出 的 1v.
这 内部的 自举 驱动器 给 好 advan-
tages: 这 外部 快 恢复 二极管 能 是
避免 (它 通常地 有 好 泄漏 电流).
这个 结构 能 工作 仅有的 如果 v
输出
是 关闭 至
地 (或者 更小的) 和 在 这 meanwhile 这 lvg 是
在. 这 charging 时间 (t
承担
) 的 这 c
激励
是
这 时间 在 这个 两个都 情况 是 fulfilled 和
它 有 至 是 长 足够的 至 承担 这 电容.
这 自举 驱动器 introduces 一个 电压 漏出
预定的 至 这 dmos r
DSON
(典型 值: 125
ohm). 在 低 频率 这个 漏出 能 是 ne-
glected. anyway 增加 这 频率 它
必须 是 带去 在 至 账户.
这 下列的 等式 是 有用的 至 计算 这
L6387
4/9
: 点此下载
