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L6569 L6569A
自举 函数
这 L6569 有 一个 内部的 自举 结构 那 使能 这 用户 至 避免 这 外部 二极管 需要, 在 sim-
ilar 设备, 至 执行 这 承担 的 这 自举 电容 那, 在 转变, 提供 一个 适合的 驱动 至 这
Upper 外部 场效应晶体管.
这 运作 是 达到 和 一个 唯一的 结构 (专利的) 那 使用 一个 高 电压 Lateral DMOS 驱动
用 一个 内部的 承担 打气 (看 块 Diagram) 和 同步, 和 一个 50 nsec 延迟, with 这 低 一侧
门 驱动器 (lvg 管脚), 的确 working 作 一个 同步的 rectifier .
这 charging path 为 这 自举 电容 是 关闭 通过 这 更小的 外部 场效应晶体管 那 是 驱动 在 (i.e. LVG
高) 为 一个 时间 间隔:
T
C
=R
F
·C
F
· In2
→
1.1 · R
F
·C
F
开始 从 这 时间 这 供应 电压 V
S
有 reached 这 转变 在 电压 (v
SUVP
= 9 V 典型 值).
之后 时间 T
1
(看 波形 Diagram) 这 LDMOS 那 charges 这 自举 电容, 是 在 和 一个 R
在
=120
Ω
(典型 值).
在 这 L6569A 一个 不同的 开始 向上 程序 是 followed (see 波形 图解). 这 更小的 外部 场效应晶体管 是
驱动 止 直到 V
S
有 reached 这 转变 在 门槛 (v
SUVPp
), 然后 又一次 这 T
C
时间 间隔 开始 作 在之上.
正在 这 LDMOS 使用 至 implement 这 自举 运作 一个 ”bi-directional” 转变 这 电流 流 在
这 激励 管脚 (管脚 8) 能 含铅的 一个 undue 压力 至 这 LDMOS 它自己 如果 一个 零 电压 切换 opera-
tions 是 不 保证, 和 然后 一个 高 电压 是 应用 至 这 激励 管脚. 这个 情况 能 出现, 为 例子,
当 这 加载 是 移除 和 一个 高 resistive 值 是 放置 在 序列 和 这 门 的 这 外部 电源
mos. 至 帮助 这 用户 至 secure his 设计 一个 SAFE 运行 范围 为 这 自举 LDMOS 是 提供
(图. 7).
Let’s 考虑 这 步伐 那 应当 是 带去.
1) 计算 这 转变 在 延迟 ( td ) 的 your 更小的 电源 mos:
2) 计算 这 下降 时间 ( tf ) 的 your 更小的 电源 mos:
在哪里:
R
g
= 外部 门 resistor
R
id
=50
Ω
, 典型 相等的 输出 阻抗 的 这 驱动 缓存区 (当 sourcing 电流)
V
TH
,c
iss
和 Q
gd
是 电源 MOS 参数
V
S
= 低 电压 供应.
3) Sketch 这 VBOOT 波形 (使用 log-log scales) 开始 从 这 流 电压 的 这 更小的 电源 MOS
(remember 至 增加 这 vs, your 低 电压 供应, 值) 在 这 自举 LDMOS SOA . 在 图. 8 一个 例子
是 给 在哪里:
V
S
= 低 电压 供应
V
HV
= 高 电压 供应 栏杆
这 V
激励
电压 摆动 必须 下降 在下 这 曲线 identified 用 这 真实的 运行 频率 的 your applica-
tion.
t
d
R
g
R
id
+
()
C
iss
1
1
V
TH
V
S
-----------–
--------------------
ln
⋅⋅
=
t
f
R
g
R
id
+
V
S
V
TH
–
------------------------
Q
gd
⋅
=
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