电的 特性
(持续)
标识 参数 测试 情况 最小值 Typ. 最大值 单位
输入 缓存区 (si, ce, SCLK 和 重置 管脚)
V
T–
Threshold 电压 在
Falling 边缘
SCLK 仅有的
V
CC
=5V
±
10% 0.2v
CC
0.6
V
V
V
T+
Threshold 电压 在
Rising 边缘
SCLK 仅有的
V
CC
=5V
±
10% 0.7v
CC
4.15
V
V
V
H
Hysteresis 电压 V
T+
–V
T–
0.85 2.5 V
I
I
输入 电流 V
CC
= 5.50v, 0 < V
I
<v
CC
–10 +10
µ
一个
C
I
输入 电容 0 < V
I
<v
CC
20 nF
输出 缓存区 (所以 管脚)
V
SOL
输出 低 电压 I
O
= 1.6ma 0.4 V
V
SOH
输出 高 电压 I
O
= 0.8ma V
CC
– 1.3v
V
I
SOtl
输出 Tristate 泄漏
电流
0<v
O
<v
CC
, CE 管脚 使保持 高,
V
CC
= 5.25v
–20 20
µ
一个
C
所以
输出 电容 0 < V
O
<v
CC
CE 管脚 使保持 高
20 pF
I
CC
安静的 供应
电流 在 V
CC
管脚
所有 输出 progr. 在. I
O
= 0.5a
每 输出 同时发生地
10 毫安
串行 附带的 接口 (看 图. 2, 定时 图解)
f
运算
运行 Frequency d.c. 2 MHz
t
含铅的
使能 含铅的 时间 250 ns
t
lag
使能 Lag 时间 250 ns
t
wSCKH
时钟 高 时间 200 ns
t
wSCKL
时钟 低 时间 200 ns
t
su
数据 建制 时间 75 ns
t
H
数据 支撑 时间 75 ns
t
EN
使能 时间 250 ns
t
DIS
使不能运转 时间 250 ns
t
V
数据 有效的 时间 100 ns
t
rSO
上升 时间 (所以 输出) V
CC
= 20 至 70% C
L
= 200pF 50 ns
t
fSO
F所有 时间 (所以 输出) V
CC
= 70 至 20% C
L
= 200pF 50 ns
t
rSI
上升 时间 SPI
输入 (sck, si, ce)
V
CC
= 20 至 70% C
L
= 200pF 200 ns
t
fSI
F所有 时间 SPI
输入 (sclk, si, ce)
V
CC
= 70 至 20% C
L
= 200pF 200 ns
t
ho
输出 数据 支撑 时间 0
µ
s
L9822E
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