ld 274
半导体 组 4 1997-11-01
相关的 谱的 emission
I
rel
=
f
(
λ
)
向前 电流
I
F
=
f
(
V
F
), 单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
OHR01938
λ
rel
Ι
0
880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01041
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
一个
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
最大值
典型值
radiant 强烈
单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
I
e
I
e
100 毫安
=
f
(
I
F
)
Ι
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 一个 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 毫安)
最大值 容许的 向前 电流
I
F
=
f
(
T
一个
)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
毫安
˚C
T
一个
= 450 k/w
thjA
R
容许的 脉冲波 处理 能力
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
≤
25
°
c,
职责 循环
D
= 参数
t
OHR00860
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
5
直流
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D
=
5
毫安
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
D
=
辐射 特性,
I
rel
=
f
(
ϕ
)
OHR01882
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
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