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资料编号:448771
 
资料名称:LF353H
 
文件大小: 539.27K
   
说明
 
介绍:
Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational Amplifier
 
 


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绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 必需的,
联系 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 有效性 规格.
供应 电压
±
18V
电源 消耗 (便条 2)
运行 温度 范围 0˚C +70˚C
T
j
(最大值) 150˚C
差别的 输入 电压
±
30V
输入 电压 范围 (便条 3)
±
15V
输出 短的 电路 持续时间 持续的
存储 温度 范围 −65˚C +150˚C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒.) 260˚C
焊接 信息
双-在-线条 包装
焊接 (10 秒.) 260˚C
外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
一个-450 “Surface 挂载 方法 它们的 效应
产品 Reliability” 其它 方法 焊接
表面 挂载 设备.
静电释放 容忍 (便条 8) 1000V
θ
JA
M 包装 TBD
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏
设备 出现. 运行 比率 表明 情况 这个
设备 函数的, 但是 保证 明确的 效能 限制. elec-
trical 特性 状态 直流 交流 电的 规格 下面 particu-
lar 测试 情况 这个 保证 明确的 效能 限制. 这个 假设
设备 在里面 运行 比率. 规格 guar-
anteed 参数 在哪里 限制 给, 不管怎样, 典型 一个
好的 indication 设备 效能.
直流 电的 特性
(便条 5)
标识 参数 情况 LF353 单位
最小值 典型值 最大值
V
OS
输入 补偿 电压 R
S
=10k
,t
一个
=25˚C 5 10 mV
温度 13 mV
V
OS
/
T 平均 TC 输入 补偿 电压 R
S
=10 k
10 µv/˚c
I
OS
输入 补偿 电流 T
j
=25˚c, (注释 5, 6) 25 100 pA
T
j
70˚C 4 nA
I
B
输入 偏差 电流 T
j
=25˚c, (注释 5, 6) 50 200 pA
T
j
70˚C 8 nA
R
输入 阻抗 T
j
=25˚C 10
12
一个
VOL
信号 电压 增益 V
S
=
±
15v, T
一个
=25˚C 25 100 v/mv
V
O
=
±
10v, R
L
=2 k
温度 15 v/mv
V
O
输出 电压 摆动 V
S
=
±
15v, R
L
=10k
±
12
±
13.5 V
V
CM
输入 一般模式 电压 V
S
=
±
15V
±
11 +15 V
范围 −12 V
CMRR 一般模式 拒绝 比率 R
S
10k
70 100 dB
PSRR 供应 电压 拒绝 比率 (便条 7) 70 100 dB
I
S
供应 电流 3.6 6.5 毫安
交流 电的 特性
(便条 5)
标识 参数 情况 LF353 单位
最小值 典型值 最大值
放大器 放大器 连接 T
一个
=25˚c, f=1 Hz−20 kHz −120 dB
(输入 涉及)
SR 回转 比率 V
S
=
±
15v, T
一个
=25˚C 8.0 13 v/µs
GBW 增益 带宽 产品 V
S
=
±
15v, T
一个
=25˚C 2.7 4 MHz
e
n
相等的 输入 噪音 电压 T
一个
=25˚c, R
S
=100
,16
f=1000 Hz
i
n
相等的 输入 噪音 电流 T
j
=25˚c, f=1000 Hz 0.01
LF353
www.国家的.com 2
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