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资料编号:449008
 
资料名称:LF412
 
文件大小: 565.24K
   
说明
 
介绍:
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier
 
 


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绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 必需的,
联系 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 有效性 规格.
(便条 11)
LF412A LF412
供应 电压
±
22V
±
18V
差别的 输入 电压
±
38V
±
30V
输入 电压 范围
(便条 3)
±
19V
±
15V
输出 短的 电路
持续时间 (便条 4) 持续的 持续的
H 包装 N 包装
电源 消耗
H 包装 N 包装
(便条 12) (便条 5) 670 mW
T
j
最大值 150˚C 115˚C
θ
jA
(典型) 152˚c/w 115˚c/w
运行 温度 范围 (便条 6) (便条 6)
存储 温度 −65˚C
T
一个
150˚C −65˚C
T
一个
150˚C
范围
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 260˚C 260˚C
静电释放 容忍
(便条 13) 1700V 1700V
直流 电的 特性
(便条 7)
标识 参数 情况 LF412A LF412 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
V
OS
输入 补偿 电压 R
S
=10 k
,t
一个
=25˚C 0.5 1.0 1.0 3.0 mV
V
OS
/
T 平均 TC 输入 R
S
=10 k
(便条 8) 7 10 7 20 µv/˚c
补偿 电压
I
OS
输入 补偿 电流 V
S
=
±
15V T
j
=25˚C 25 100 25 100 pA
(注释 7, 9) T
j
=70˚C 2 2 nA
T
j
=125˚C 25 25 nA
I
B
输入 偏差 电流 V
S
=
±
15V T
j
=25˚C 50 200 50 200 pA
(注释 7, 9) T
j
=70˚C 4 4 nA
T
j
=125˚C 50 50 nA
R
输入 阻抗 T
j
=25˚C 10
12
10
12
一个
VOL
信号 电压 V
S
=
±
15v, V
O
=
±
10v, 50 200 25 200 v/mv
增益 R
L
=2k, T
一个
=25˚C
温度 25 200 15 200 v/mv
V
O
输出 电压 摆动 V
S
=
±
15v, R
L
=10k
±
12
±
13.5
±
12
±
13.5 V
V
CM
输入 一般模式
±
16 +19.5
±
11 +14.5 V
电压 范围 −16.5 −11.5 V
CMRR 一般模式 R
S
10k 80 100 70 100 dB
拒绝 比率
PSRR 供应 电压 (便条 10) 80 100 70 100 dB
拒绝 比率
I
S
供应 电流 V
O
= 0v, R
L
=
3.6 5.6 3.6 6.5 毫安
便条 2:
“Absolute 最大 Ratings” 表明 限制 在之外 这个 损坏 设备 出现. 运行 比率 表明 情况 这个 设备
函数的, 但是 保证 明确的 效能 限制.
交流 电的 特性
(便条 7)
标识 参数 情况 LF412A LF412 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
放大器 放大器 T
一个
=25˚c, f=1 hz-20 kHz −120 −120 dB
连接 (输入 涉及)
SR 回转 比率 V
S
=
±
15v, T
一个
=25˚C 10 15 8 15 v/µs
GBW 增益-带宽 产品 V
S
=
±
15v, T
一个
=25˚C 3 4 2.7 4 MHz
LF412
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