交流 电的 特性
标识 参数 情况
限制
单位
最小值 典型值 最大值
NF 低 频率 噪音 图示 f
e
1 kHz V
CE
e
5V
325 dB
I
C
e
100
m
A R
S
e
1k
X
f
T
增益 带宽 产品 V
CE
e
5V I
C
e
3 毫安 300 500 MHz
C
EB
发射级 至 根基 电容 V
EB
e
5V I
E
e
0 070 pF
C
CB
集电级 至 根基 电容 V
CB
e
5V I
C
e
0 037 pF
C
CI
集电级 至 基质 电容 V
CI
e
5V I
C
e
0 22 pF
低 Frequency 小 信号 相等的 电路 特性
h
fe
向前 电流 转移 比率 f
e
1 kHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 100
h
ie
短的 电路 输入 阻抗 f
e
1 kHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 35 k
X
h
oe
打开 电路 输出 阻抗 f
e
1 kHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 156
m
mho
h
re
打开 电路 反转 电压 f
e
1 kHz V
CE
e
3V 18 x 10
b
4
转移 比率 I
C
e
1mA
Admittance 特性
Y
fe
向前 转移 Admittance f
e
1 MHz V
CE
e
3V I
C
e
1mA 31
b
j 15 mmho
Y
ie
输入 Admittance f
e
1 MHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 03
一个
j 004 mmho
Y
oe
输出 Admittance f
e
1 MHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 0001
一个
j 003 mmho
Y
re
反转 转移 Admittance f
e
1 MHz V
CE
e
3V I
C
e
1 毫安 (便条 3) mmho
便条 1
这 集电级 的 各自 晶体管 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral diode 这 基质 必须 是 连接 至 一个 电压 这个 是 更多 负的
比 任何 集电级 电压 在 顺序 至 维持 分开 在 晶体管 和 提供 正常的 晶体管 action 至 避免 undesired 连接 在 transistors
这 基质 终端 应当 是 maintained 在 也 直流 或者 信号 (交流) ground 一个 合适的 绕过 电容 能 是 使用 至 establish 一个 信号 ground
便条 2
如果 这 晶体管 是 强迫 在 齐纳 损坏 (v
(br)ebo
) 降级 的 向前 转移 电流 比率 (h
FE
) 能 occur
便条 3
看 curve
3
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