10 k
版本
电的 特性
参数 标识 情况 最小值 典型值
1
最大值 单位
直流 特性 rheostat 模式 规格 应用 至 所有 vrs
电阻 差别的 nl
2
r-dnl R
WB
, v
一个
= nc –1
±
1/4 +1 LSB
电阻 非线性
2
r-inl R
WB
, v
一个
= nc –2
±
1/2 +2 LSB
名义上的 阻抗
3
RT
一个
= +25
°
c, 模型: ad840xyy10 8 10 12 k
Ω
阻抗 tempco
∆
R
AB
/
∆
TV
AB
= v
DD
, wiper = 非 连接 500 ppm/
°
C
wiper 阻抗 R
W
I
W
= 1 v/r 50 100
Ω
名义上的 阻抗 相一致
∆
r/r
O
ch 1 至 2, 3, 或者 4,
V
AB
= v
DD
, t
一个
= +25
°
C 0.2 1 %
直流 特性 分压器 分隔物 规格 应用 至 所有 vrs
决议 N 8 位
integral 非线性
4
INL –2
±
1/2 +2 LSB
差别的 非线性
4
DNL V
DD
= +5 v –1
±
1/4 +1 LSB
DNL V
DD
= +3 v t
一个
= +25
°
C–1
±
1/4 +1 LSB
DNL V
DD
= +3 v t
一个
= –40
°
c, +85
°
C –1.5
±
1/2 +1.5 LSB
电压 分隔物 tempco
∆
V
W
/
∆
T 代号 = 80
H
15 ppm/
°
C
全部-规模 错误 V
WFSE
代号 = ff
H
–4 –2.8 0 LSB
零-规模 错误 V
WZSE
代号 = 00
H
0 +1.3 +2 LSB
电阻 terminals
电压 范围
5
V
一个, b, w
0V
DD
V
电容
6
ax, bx C
一个, b
f = 1 mhz, 量过的 至 地, 代号 = 80
H
75 pF
电容
6
Wx C
W
f = 1 mhz, 量过的 至 地, 代号 = 80
H
120 pF
关闭 电流
7
I
一个_sd
V
一个
= v
DD
, v
B
= 0 v,
SHDN
= 0 0.01 5
µ
一个
关闭 wiper 阻抗 R
w_sd
V
一个
= v
DD
, v
B
= 0 v,
SHDN
= 0, v
DD
= +5 v 100 200
Ω
数字的 输入 &放大; 输出
输入 逻辑 高 V
IH
V
DD
= +5 v 2.4 V
输入 逻辑 低 V
IL
V
DD
= +5 v 0.8 V
输入 逻辑 高 V
IH
V
DD
= +3 v 2.1 V
输入 逻辑 低 V
IL
V
DD
= +3 v 0.6 V
输出 逻辑 高 V
OH
R
L
= 1 k
Ω
至 v
DD
V
DD
–0.1 V
输出 逻辑 低 V
OL
I
OL
= 1.6 毫安, v
DD
= +5 v 0.4 V
输入 电流 I
IL
V
在
= 0 v 或者 +5 v, v
DD
= +5 v
±
1
µ
一个
输入 电容
6
C
IL
5pF
电源 供应
电源 供应 范围 V
DD
范围 2.7 5.5 V
供应 电流 (cmos) I
DD
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 0 v 0.01 5
µ
一个
供应 电流 (ttl)
8
I
DD
V
IH
= 2.4 v 或者 0.8 v, v
DD
= +5.5 v 0.9 4 毫安
电源 消耗 (cmos)
9
P
DISS
V
IH
= v
DD
或者 v
IL
= 0 v, v
DD
= +5.5 v 27.5
µ
W
电源 供应 敏锐的 PSS V
DD
= +5 v
±
10% 0.0002 0.001 %/%
PSS V
DD
= +3 v
±
10% 0.006 0.03 %/%
动态 特性
6, 10
带宽 –3 db bw_10k r = 10 k
Ω
600 kHz
总的 调和的 扭曲量 THD
W
V
一个
= 1 v rms + 2 v 直流, v
B
= 2 v 直流, f = 1 khz 0.003 %
V
W
安排好 时间 t
S
V
一个
= v
DD
, v
B
= 0 v,
±
1% 错误 带宽 2
µ
s
电阻 噪音 电压 e
NWB
R
WB
= 5 k
Ω
, f = 1 khz,
RS
= 0 9 nv/
√
Hz
串扰
11
C
T
V
一个
= v
DD
, v
B
= 0 v –65 dB
注释 为 10 k
Ω
版本
1
typicals 代表 平均 readings 在 +25
°
c 和 v
DD
= +5 v.
2
电阻 位置 非线性 错误 r-inl 是 这 背离 从 一个 完美的 值 量过的 在 这 最大 阻抗 和 这 最小 阻抗 wiper
positions. r-dnl measures 这 相关的 步伐 改变 从 完美的 在 successive tap positions. 部分 是 有保证的 monotonic. 看 图示 30 测试 circuit.
I
W
= 50
µ
一个 为 v
DD
= +3 v 和 i
W
= 400
µ
一个 为 v
DD
= +5 v 为 这 10 k
Ω
版本.
3
V
AB
= v
DD
, wiper (v
W
) = 非 连接.
4
inl 和 dnl 是 量过的 在 v
W
和 这 rdac 配置 作 一个 分压器 分隔物 类似的 至 一个 电压 输出 d/一个 转换器. v
一个
= v
DD
和 v
B
= 0 v.
dnl 规格 限制 的
±
1 lsb 最大 是 有保证的 monotonic 运行 情况. 看 图示 29 测试 电路.
5
电阻 terminals 一个, b, w 有 非 限制 在 极性 和 遵守 至 各自 其它.
6
有保证的 用 设计 和 不 主题 至 生产 测试. 电阻-终端 电容 tests 是 量过的 和 2.5 v 偏差 在 这 量过的 终端. 这 remaining
电阻 terminals 是 left 打开 电路.
7
量过的 在 这 ax terminals. 所有 ax terminals 是 打开 短路 在 关闭 模式.
8
worst 情况 供应 电流 consumed 当 输入 逻辑 水平的 在 2.4 v, 标准 典型的 的 cmos 逻辑. 看 图示 21 为 一个 plot 的 i
DD
相比 逻辑 电压.
9
P
DISS
是 计算 从 (i
DD
×
V
DD
). cmos 逻辑 水平的 输入 结果 在 最小 电源 消耗.
10
所有 动态 特性 使用 v
DD
= +5 v.
11
量过的 在 一个 v
W
管脚 在哪里 一个 调整 v
W
管脚 是 制造 一个 全部-规模 电压 改变.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
ad8400/ad8402/ad8403–specifications
(v
DD
= +3 v
10% 或者 + 5 v
10%, v
一个
= +v
DD
, v
B
= 0 v, –40
C
≤
T
一个
≤
+85
c 除非
否则 指出)
rev. b
–2–
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