应用 介绍
(持续)
R
F
vs. 非-反相的 增益
20042921
两个都 plots 显示 这 值 的 R
F
approaching 一个 最小
值 (dashed 线条) 在 高 增益. 减少 这 反馈
电阻 在下 这个 值 将 结果 在 instability 和 possibly
振动. 这 推荐 值 的 R
F
是 depicted 用 这
固体的 线条, 这个 begins 至 增加 在 高等级的 增益. 这
reason 那 一个 高等级的 R
F
是 必需的 在 高等级的 增益 是 这
需要 至 保持 R
G
从 减少 too far 在下 这 输出
阻抗 的 这 输入 缓存区. 为 这 LMH6715 这 输出
阻抗 的 这 输入 缓存区 是 大概 160
Ω
和 50
Ω
是 一个 实际的 更小的 限制 为 R
G
. 预定的 至 这 限制 在 R
G
这 LMH6715 begins 至 运作 在 一个 增益 带宽 限制
fashion 为 增益 的
±
5v/v 或者 更好.
R
F
vs. 反相的 增益
20042922
当 使用 这 LMH6715 作 一个 替换 为 这 clc412,
完全同样的 带宽 能 是 得到 用 使用 一个 适合的
值 的 R
F
. 这 chart “Frequency 回馈 vs. R
F
” 显示
那 一个 R
F
的 大概 700
Ω
将 提供 带宽
非常 关闭 至 那 的 这 clc412. 在 其它 增益 一个 类似的
增加 在 R
F
能 是 使用 至 相一致 这 新 和 old 部分.
电路 布局
和 所有 高 频率 设备, 板 layouts 和 偏离
capacitances 有 一个 强 影响 在 交流 效能.
这 LMH6715 是 非 例外 和 它的 输入 和 输出 管脚
是 特别 敏感的 至 这 连接 的 parasitic capaci-
tances (至 交流 地面) 产生 从 查出 或者 焊盘 放置 too
closely (
<
0.1”) 至 电源 或者 地面 平面. 在 一些 具体情况,
预定的 至 这 频率 回馈 peaking 造成 用 这些
parasitics, 一个 小 调整 的 这 反馈 电阻 值
将 提供 至 compensate 这 频率 回馈. 也, 它 是
非常 重要的 至 保持 这 parasitic 电容 横过 这
反馈 电阻 至 一个 绝对 最小.
这 效能 plots 在 这 数据 薄板 能 是 reproduced
使用 这 evaluation boards 有 从 国家的. 这
CLC730036 板 使用 所有 SMT 部分 为 这 evaluation 的
这 lmh6715. 这 板 能 提供 作 一个 例子 布局 为
这 最终 生产 打印 电路 板.
小心 必须 也 是 带去 和 这 LMH6715’s 布局 在 顺序
至 达到 这 最好的 电路 效能, 特别 频道-
至-频道 分开. 这 解耦 电容 (两个都 tanta-
lum 和 陶瓷的) 必须 是 选择 和 好的 高 频率
特性 至 分离 这 电源 供应 和 这
物理的 placement 的 这 LMH6715’s 外部 组件
是 核心的. Grouping 各自 amplifier’s 外部 组件
和 它们的 自己的 地面 连接 和 separating 它们 从
这 外部 组件 的 这 opposing 频道 和 这
最大 可能 距离 是 推荐. 这 输入
(r
在
) 和 增益 设置 电阻器 (r
F
) 是 这 大多数 核心的. 它 是
也 推荐 那 这 陶瓷的 解耦 电容
(0.1µf 碎片 或者 放射状的-含铅的 和 低 等效串联电阻) 应当 是 放置
作 closely 至 这 电源 管脚 作 可能.
电源 消耗
Follow 这些 步伐 至 决定 这 最大 电源 dissi-
pation 为 这 lmh6715:
1. 计算 这 安静的 (非-加载) 电源: P
放大
=I
CC
(v
CC
-v
EE
)
2. 计算 这 RMS 电源 在 这 输出 平台: P
O
=(v
CC
-v
加载
)(i
加载
), 在哪里 V
加载
和 I
加载
是 这 电压 和
电流 横过 这 外部 加载.
3. 计算 这 总的 RMS 电源: Pt = P
放大
+P
O
这 最大 电源 那 这 lmh6715, 包装 能 dissi-
pate 在 一个 给 温度 能 是 获得 和 这 下列的
等式:
Pmax = (150
o
- tamb)/
θ
JA
, 在哪里 Tamb = 包围的 tempera-
ture (˚c) 和
θ
JA
= 热的 阻抗, 从 接合面 至
包围的, 为 一个 给 包装 (˚c/w). 为 这 SOIC 包装
θ
JA
是 145˚c/w.
相一致 效能
和 恰当的 板 布局, 这 交流 效能 相一致 是-
tween 这 二 LMH6715’s 放大器 能 是 tightly 控制
作 显示 在 典型 效能 plot labeled “small-信号
频道 matching”.
这 度量 是 执行 和 SMT 组件
使用 一个 反馈 电阻 的 300
Ω
在 一个 增益 的 +2v/v.
这 LMH6715’s 放大器, 建造 在 这 一样 消逝, 提供 这
有利因素 的 having tightly matched 直流 特性.
回转 比率 和 安排好 时间
一个 的 这 有利因素 的 电流-反馈 topology 是 一个
本质上 高 回转 比率 这个 生产 一个 wider 全部 电源
带宽. 这 LMH6715 有 一个 典型 回转 比率 的 1300v/
µs. 这 必需的 回转 比率 为 一个 设计 能 是 计算 用
这 下列的 等式: SR = 2
π
fV
pk
.
细致的 注意 至 parasitic capacitances 是 核心的 至
实现 这 最好的 安排好 时间 效能. 这 LMH6715
LMH6715
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