绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
静电释放 容忍 2KV (便条 2)
200V (便条 9)
V
在
差别的
±
2.5v
输出 短的 电路 持续时间 (便条 3), (便条 11)
供应 电压 (v
+
-v
−
) 13.5v
电压 在 输入/输出 管脚 V
+
+0.8v, V
−
−0.8v
输入 电流
±
10mA
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
接合面 温度 (便条 4) +150˚C
焊接 信息
Infrared 或者 Convection 软熔焊接(20 秒) 235˚C
波 焊接 含铅的 温度.(10 秒) 260˚C
运行 比率
(便条 1)
供应 电压 (v
+
–V
−
) 3V 至 12.8v
接合面 温度 范围 (便条 4) −40˚C 至 +85˚C
包装 热的 阻抗 (便条 4) (
θ
JA
)
sot23-5 265˚c/w
soic-8 190˚c/w
msop-8 235˚c/w
soic-14 145˚c/w
tssop-14 155˚c/w
3V 电的 特性
除非 否则 指定, 所有 限制 有保证的 为 在 T
J
= 25˚c, V
+
= 3v, V
−
= 0v, V
CM
=V
O
=V
+
/2, 和 R
L
=2k
Ω
至 V
+
/2.
黑体字
限制 应用 在 这 温度 extremes.
标识 参数 情况 最小值
(便条 6)
典型值
(便条 5)
最大值
(便条 6)
单位
BW −3dB BW 一个
V
= +1, V
输出
= 200mV
PP
80 115
MHz
一个
V
= +2, −1, V
输出
= 200mV
PP
46
BW
0.1db
0.1db 增益 Flatness 一个
V
= +2, R
L
= 150
Ω
至 v+/2,
R
L
= 402
Ω
,v
输出
= 200mV
PP
19 MHz
PBW 全部 电源 带宽 一个
V
= +1, −1db, V
输出
=1V
PP
40 MHz
e
n
输入-涉及 电压 噪音 f = 100kHz 17
nv/
f = 1kHz 48
i
n
输入-涉及 电流 噪音 f = 100kHz 0.90
pa/
f = 1kHz 3.3
THD 总的 调和的 扭曲量 f = 5mhz, V
O
=2V
PP
,一个
V
= −1,
R
L
= 100
Ω
至 V
+
/2
−48
dBc
DG 差别的 增益 V
CM
= 1v, ntsc, 一个
V
=+2
R
L
=150
Ω
至 V
+
/2
0.17
%
R
L
=1k
Ω
至 V
+
/2 0.03
DP 差别的 阶段 V
CM
= 1v, ntsc, 一个
V
=+2
R
L
=150
Ω
至 V
+
/2
0.05
deg
R
L
=1k
Ω
至 V
+
/2 0.03
CT rej. 交叉-表达 拒绝 f = 5mhz, 接受者:
R
f
=R
g
= 510
Ω
,一个
V
=+2
47 dB
T
S
安排好 时间 V
O
=2V
PP
,
±
0.1%, 8pF 加载,
V
S
=5V
68 ns
SR 回转 比率 (便条 8) 一个
V
= −1, V
I
=2V
PP
90 120 v/µs
V
OS
输入 补偿 电压
±
1
±
5
±
7
mV
TC V
OS
输入 补偿 平均 逐渐变化 (便条 12)
±
5 µv/˚c
I
B
输入 偏差 电流 (便条 7) −1.50 −2.60
−3.25
µA
I
OS
输入 补偿 电流 20 800
1000
nA
R
在
一般 模式 输入
阻抗
3M
Ω
C
在
一般 模式 输入
电容
2pF
lmh6642/6643/6644
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