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资料编号:454165
 
资料名称:LP61L1008
 
文件大小: 142.88K
   
说明
 
介绍:
128K X 8 BIT 3.3V HIGH SPEED CENTER POWER CMOS SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
lp61l1008 序列
(六月, 2001, 版本 2.0) 3
amic 技术, 公司
推荐 直流 运行 情况
(t
一个
= 0
°
c 至 + 70
°
c)
标识 Para计量表 最小值 典型值 最大值 单位
VCC 供应 电压 3.0 3.3 3.6 V
地面 0 0 0 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 - vcc + 0.3 V
V
IL
输入 低 电压 -0.3 0 +0.8 V
C
L
输出 加载 - - 30 pF
TTL 输出 加载 - - 1 -
绝对 最大 ratings*
vcc 至 地 .............................................. -0.5v至 +4.6v
在, 在/输出 volt 至 地 .....................-0.5v 至 vcc +0.5v
运行 温度, topr ...................... 0
°
c 至 +70
°
C
存储 温度, tstg..................... -55
°
c 至 +125
°
C
温度 下面 偏差, tbias................ -10
°
c 至 +85
°
C
电源 消耗, pt................................................1.0w
焊接 温度 &放大; 时间 .............................260
°
c, 10 秒
*Comments
压力 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大
比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这个 设备.
这些 是 压力 比率 仅有的. 函数的 运作 的
这个 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上
那些 表明 在 这 运算的 sections 的这个
规格 是 不 暗指 或者 将. 暴露 至
这 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 设备 可靠性.
直流 电的 特性
(t
一个
= 0
°
c 至 + 70
°
c, vcc = 3.3v
±
10%, 地 = 0v)
LP61L1008-12/15
标识 参数
最小值 最大值
单位 情况
I
LI
输入 泄漏 电流 - 2
µ
一个
V
= 地 至 vcc
I
LO
输出 泄漏 电流 - 2
µ
一个
CE = v
IH
或者
OE = v
IH
或者 我们 = v
IL
Vi/o= 地 至 vcc
-12 - 180
I
CC1
(1)
动态 运行
电流
-15 - 170
毫安
CE = v
IL
Ii/o= 0 毫安
I
SB
- 20 毫安
CE = v
IH
I
SB1
备用物品 电源
供应 电流
-
5
毫安
CE
VCC-0.2v,
V
0.2v 或者 v
VCC-0.2V
V
OL
输出 低 电压 - 0.4 V I
OL
= 8 毫安
V
OH
输出 高 电压 2.4 - V I
OH
=-4 毫安
便条: 1. i
CC1
是 依赖 在 输出 加载, 循环 比率, 和 读 / 写 patterns.
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