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资料编号:454473
 
资料名称:LP801
 
文件大小: 35.73K
   
说明
 
介绍:
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
  浏览型号LP801的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
l2b 1 消逝 id, gm vs vg
0.1
1
10
100
0 2 4 6 8 10 12 14
vgs 在 伏特
ID
GM
l2b 1 消逝 电容
0.1
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
vds 在 伏特
Coss
Ciss
Crss
lp801 pout vs 管脚 f=1000 mhz; idq=0.2a;vds=28v
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
管脚 在 watts
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
POUT 增益
效率 = 58%
polyfet rf 设备
pout vs 管脚 图表
电容 vs 电压
id &放大; gm vs vgsiv 曲线
zin zout 包装 维度 在 英寸
LP801
l2a 1 dice iv
0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vds 在 伏特
id 在 放大器
vg=2v Vg=4v Vg=6v vg=8v vg=10v vg=12v
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订 04/27/2001
容忍 .xx +/-0.01 .xxx +/-.005 英寸
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