半导体 组 4 1998-11-12
Kennwerte
(
T
一个
= 25 ˚c)
特性
Bezeichnung
参数
标识
标识
Werte
值
Einheit
单位
LS LO LY LG LP
wellenlänge des emittierten lichtes (典型值.)
wavelength 在 顶峰 emission (典型值.)
I
F
= 10 毫安
λ
顶峰
635 610 586 565 557 nm
Dominantwellenlänge (典型值.)
首要的 wavelength (典型值.)
I
F
= 10 毫安
λ
dom
628 605 590 570 560 nm
spektrale bandbreite bei 50 %
I
rel 最大值
(典型值.)
谱的 带宽 在 50 %
I
rel 最大值
(典型值.)
I
F
= 10 毫安
∆
λ
45 40 45 25 22 nm
abstrahlwinkel bei 50 %
I
v
(vollwinkel)
察看 角度 在 50 %
I
v
2
ϕ
120 120 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung (典型值.)
向前 电压 (最大值.)
I
F
= 10 毫安
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom (典型值.)
反转 电流 (最大值.)
V
R
= 5 v
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µ
一个
µ
一个
Kapazität (典型值.)
电容
V
R
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
0
128 101515pF
schaltzeiten:
切换 时间:
I
V
从 10 % 至 90 % (典型值.)
I
V
从 90 % 至 10 % (典型值.)
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 10
µ
s,
R
L
= 50
Ω
t
r
t
f
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
ls a670, lo a670, ly a670
lg a670, lp a670
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