LT3710
9
3710f
输出 inductor 选择
这 关键 参数 为 choosing 这 inductor 包含
电感, rms 和 饱和 电流 比率 和 dcr.
这 电感 必须 是 选择 至 达到 一个 合理的
值 的 波纹 电流, 这个 是 决定 用:
∆=
−
()
I
VD
fL
L
OUT2
12•
•
典型地, 这 inductor 波纹 电流 是 设计 至 是
20% 至 40% 的 这 最大 输出 电流.
这 rms 电流 比率 必须 是 高 足够的 至 deliver 这
最大 输出 电流. 一个 sufficient 饱和 电流
比率 应当 阻止 这 inductor 核心 从 saturating.
这些 二 电流 比率 能 是 决定 用:
II
I
II
I
RMS O
LMAX
SAT O
LMAX
≥+
∆
≥+
∆
2
2
12
2
在哪里 i
O
是 这 最大 输出 电流 和
∆
I
LMAX
是 这
最大 顶峰-至-顶峰 inductor 波纹 电流.
至 优化 这 效率, 我们 通常地 choose 这 inductor
和 这 最小 dcr 如果 这 电感 和 电流
比率 是 这 一样.
电源 场效应晶体管 选择
这 lt3710 驱动 二 外部 n-频道 mosfets 至
deliver 高 电流 在 高 效率. 这 门 驱动
电压 是 典型地 6.5v. 这 关键 参数 为 choos-
ing mosfets 包含 流 至 源 电压 比率 v
DSS
和 r
ds(在)
在 6.5v 门 驱动. 便条 那 这 变压器
secondary 电压 波形 将 越过 在 它的 rising
边缘 预定的 至 这 ringing 在 变压器 泄漏
电感 和 parasitic 电容. 这 v
DSS
的 两个都
顶 和 bottom mosfets 必须 是 sufficiently 高等级的
比 这 最大 越过. 它 是 推荐 那 一个
rc snubber 或者 一个 电压 夹紧 电路系统 是 放置
横过 这 变压器 secondary winding 至 限制 这 v
S
越过.
这 r
ds(在)
的 这 mosfets 应当 是 选择 至 deliver
这 必需的 电流 在 这 desired 效率 作 好 作 至
满足 这 热的 必要条件 的 这 场效应晶体管 包装.
这 传导 电源 losses 的 这 mosfets 是:
P
M1
≅
I
O
2
• r
ds(在)m1
• d2
P
M2
≅
I
O
2
• r
ds(在)m2
• (1 – d2)
在哪里 i
O
是 这 最大 输出 电流 的 lt3710 电路,
R
ds(在)m1
和 r
ds(在)m2
是 这 在-阻抗 为 这 顶
和 bottom mosfets, 各自. 这 r
ds(在)
必须 是
决定 和 6.5v 门 驱动 和 这 预期的 operat-
ing 温度.
一个 好的 号码 的 高 效能 电源 场效应晶体管
selections 是 有 从 siliconix, 国际的 rec-
tifier 和 仙童. 如果 这 v
DSS
和 r
ds(在)
比率 是 这
一样, 这 mosfets 和 这 最低 门 承担 q
G
应当
是 选择 至 降低 这 电源 丧失 有关联的 和 这
场效应晶体管 门 驱动, 这 切换 transitions 和 这
控制 偏差 供应.
输出 电容 选择
这 选择 的 这 输出 电容 是 决定 用 这
输出 波纹 和 加载 瞬时 (所需的)东西. 在 低
输出 电压 产品, 总是 choose 电容
和 低 等效串联电阻. 这 输出 波纹 电压 是 近似
用:
∆≈∆ +
V I 等效串联电阻
fC
输出 L
输出
1
8
在哪里
∆
I
L
是 这 inductor 顶峰-至-顶峰 波纹 电流.
一个 partial 列表 的 低 等效串联电阻 高 效能 电容 类型
包含 sp 电容 从 panasonic 和 cornell dubilier,
poscaps 和 os-con 电容 从 sanyo, t510 和
t520 表面 挂载 电容 从 kemet.
设计 例子
图示 3 显示 一个 应用 例子 为 这 lt3710. 它
是 一个 双 输出, 高 效率, 分开的 直流/直流 电源
供应 和 36v 至 72v 输入, 3.3v/10a 和 1.8v/10a
输出. 这 基本 电源 平台 topology 是 一个 2-晶体管
APPLICATIO s i 为 ATIO
WUU
U
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