Microsemi
linfinity 微电子学 分隔
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页 5
版权
2001
rev. 1.1,2003-06-10
www.
Microsemi
.
COM
AudioMAX™ lx1721 / 1722
类-d 立体的 电源 放大器 控制
P
RODUCTION
整体的 产品
电的 特性(持续)
lx1721 / 1722
参数 标识 测试 情况
最小值 典型值 最大值
单位
电流 限制 比较器
电压 sense 门槛 190 210 230 mV
blanking 脉冲波 延迟 500 ‘ns
回馈 时间 Excluding blanking 脉冲波 250 ‘ns
I
UM
脉冲 必需的 至 电流 限制
获得
4 4 4‘循环
consecutive clear pulses 必需的 至
重置 i
UM
计数器
2 2 2‘循环
涉及 电压 部分
最初的 精度 (vref) 5.0
电压 稳固 (vref) ± 50 ± 100 ‘mV
最初的 精度 (v25) 2.5
电压 稳固 (v25) ± 25 ± 50 mV
温度 稳固 T
一个
= 0
O
c 至 70
O
c 2 5‘mV
线条 规章制度 V
DD
= 9v 至 15v 0.5 ‘mV
加载 规章制度 I
输出
= 0 至 10ma 5 ‘mV
下面 电压 lockout 部分
开始 门槛 电压 6 V
uv lockout hysteresis 250 mV
uvlo 延迟 至 输出 使能 62,500 clkcyc
供应 电流
睡眠 电流
睡眠 输入 = 0v, t
一个
= 25
O
C
30
µ
一个
运行 电流
睡眠 输入 = 2v, v
在
= 15v,
非 mosfets 连接
8 11‘毫安
睡眠 至 输出 使能 62,500 clkcyc
睡眠 门槛 1.45 1.6 1.75 V
沉默的 部分
沉默的 门槛 1.2 1.35 1.5 V
输出 驱动器 为 n-频道 mosfets
I
下沉
= 3ma 30 100 ‘mV
nfet 驱动器, 低 水平的 电压 V
OL
I
下沉
= 100ma 0.3 1.0 V
I
源
= 3ma, c
N
= 5.2v
应用 externally
30 100‘mV
nfet 驱动器, 高 水平的 电压 V
OH
I
源
= 100ma, c
N
= 5.2v
应用 externally
0.3 1.0 v
输出 驱动 为 p-频道 mosfets
I
下沉
= 3ma 30 100 ‘mV
pfet 驱动器, 低 水平的 电压 V
OL
I
下沉
= 100ma 0.5 1.0 V
I
源
= 3ma, c
P
= 5.2v
(应用 externally)
30 100‘mV
pfet 驱动器, 高 水平的 电压 V
OH
I
源
= 100ma, c
P
= 5.2v
(应用 externally)
0.5 1.0 v
便条 2: 这 lx1721 / 22cdb 是 有保证的 至 满足 效能 specifications 从 0° 至 70°c. 规格 在 这 -20° 至 0°c 运作 温度
范围 是 使确信 用 设计, characterization, 和 statistical 处理 控制.
E
E
L
L
E
E
C
C
T
T
R
R
I
I
C
C
一个
一个
L
L
S
S
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