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整体的 产品
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页 2
版权
2000
rev. 1.0b, 2003-03-31
www.
Microsemi
.
COM
LX1689
第三 一代 ccfl 控制
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
整体的 产品
绝对 最大 比率
供应 电压 (
V
_batt
)................................................................................................. 30V
数字的 输入 (
使能
).....................................................................................-0.3v 至 7v
相似物 输入 瞬时 顶峰 (
i_sns, oc_sns, ov_sns)
..............................-25v 至+25V
相似物 输入 (
brite_在, ea_在
)..................................................................-0.3v 至 5.5v
数字的 输入 (dim_clk,
dim_模式, div_248
) .........................................-0.3v 至 5.5v
数字的 输出 (
一个
输出
, b
输出
) .................................................................-0.3v 至 v
dd_p
+0.5v
相似物 输出 (
brite_c, i_r, brite_输出, brite_r, ea_输出
) ...-0.3v 至 v
dd_一个_
+0.5v
运行 temperature 范围 ..................................................................... -45°c – 100°c
最大 接合面 temperature ...............................................................................125°c
便条:
exceeding 这些 比率 可以 导致 损坏 至 the 设备. 所有 电压 是 和 遵守 至
地面. 电流 是 积极的 在, negative 输出 的 指定 终端.
包装 管脚 输出
一个
输出
v_batt
ov_sns
i_sns
使能
vdd_p
brite_r
dim_模式
brite_在
dim_clk
oc_sns
ea_在
brite_c
地
vdd_一个
B
输出
div_248
ea_输出
brite_输出
i_r
1
20
19
18
17
16
15
14
13
12
1110
9
8
7
6
5
4
3
2
PW
P
ACKAGE
(顶 视图)
热的 数据
PW
塑料 tssop 20-管脚
T
hermal 阻抗
-
接合面 至
一个
MBIENT
,
θ
JA
144°c/w
接合面 温度 计算: t
J
= t
一个
+ (p
D
x
θ
JA
).
这
θ
JA
号码 是 指导原则 为 这 thermal 效能 的 这 设备/pc-板
系统. 所有 的 这 在之上 假设 非 包围的 airflow.
函数的 管脚 描述
P
在
N
AME
D
ESCRIPTION
地 地面
V
dd_p
电源 vdd_p 供应 输出. 这个 输出 管脚 是 使用 至连接 一个 外部 电容 至 stabilize 和 过滤 这
在 碎片 vdd_p ldo 调整器. 这 input 的 这 ldo 是 这 切换 v
_batt
供应. ldo 输出 是 正常情况下 5.3v
和 是 使用 仅有的 至 驱动 这 输出 缓存区 在 一个
输出
和 b
输出
. 这 外部 电容 将 是 一个 100 至 1000nf
陶瓷的 dielectric. 向上 至 5ma 直流 额外的 加载 将 是 imposed 用 外部 电路系统. 外部 加载 必须 是
减少 如果 这 结合体 的输出 电流 和 输入 电压 超过 power 消耗 能力 的 这 消逝.
一个
输出
一个 缓存区 n-场效应晶体管 驱动器 输出. 这 管脚 包含 一个 内部的 10k 拉 向下 电阻.
V
dd_一个
相似物 vdd_一个 供应 输出. 这个 输出 管脚 是 使用 至连接 一个 外部 电容 至 stabilize 和 过滤 这
在 碎片 vdd_一个 ldo 调整器. 这 input 的 这 ldo 是 这 切换 v
_batt
供应. ldo 输出 是 正常情况下
2.95v 和 是 使用 至 驱动 所有 电路系统 除了 这 输出放 缓存区 在 aout 和 bout. 平均 内部的 加载 是
6ma. 向上 至 5ma 直流 额外的 加载 将 是 imposed 用 external 电路系统. 外部 加载 必须 是 减少 如果 这
结合体 的 输出 电流 和 输入 电压 超过电源 消耗 能力 的 这 消逝. 这 外部
电容 将 是 一个 100 至 1000nf 陶瓷的 dielectric 类型.
B
输出
b 缓存区 n-场效应晶体管 驱动器 输出. 这 管脚 包含 一个 内部的 10k 拉 向下 电阻.
V
_batt
电压 输入, 3 至 28v 输入 范围. v
_batt
是 切换 (看 使能) 至 remove 电源 从 碎片. 二 ldo
regulators follow 这 转变, 一个 发生 vdd_p (看 vdd_p) 和 这 其它 vdd_a (see vdd_a). 小心
必须 是 带去 在 电源 分发 设计 至 降低过往旅客 和 噪音 连接 从 这 vdd_p 输出 至
这 vdd_一个 输出. 这 外部 电容 将 是 一个 100 至 1000nf 陶瓷的 dielectric 类型.
P
P
一个
一个
C
C
K
K
一个
一个
G
G
E
E
D
D
一个
一个
T
T
一个
一个
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