V
OLTAGE
-m
ODE
pwm c
ONTROLLERS
lx1681/1682
产品 数据手册 1996/1997
版权 © 1999
rev. 1.0 5/99
8
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
应用 信息
场效应晶体管 选择
(持续)
同步的 整流 – 更小的 场效应晶体管
这 更小的 通过 元素 能 是 也 一个 场效应晶体管 或者 一个 肖特基
二极管. 这 使用 的 一个 场效应晶体管 (同步的 整流) 将 结果
在 高等级的 效率, 但是 在 高等级的 费用 比 使用 一个 肖特基 二极管
(非-同步的).
电源 dissipated 在 这 bottom 场效应晶体管 将 是:
P
D
= i
2
*
R
ds(在)
*
[1 - 职责 cycle] = 3.51w
[irl3303 或者 1.76w 为 这 irl3102]
非-同步的 运作 - 肖特基 二极管
一个 典型 肖特基 二极管, 和 一个 向前 漏出 的 0.6v 将 dissipate
0.6
*
15
*
[1 – 2/5] = 5.4w (对照的 至 这 1.8 至 3.5w dissipated
用 一个 场效应晶体管 下面 这 一样 情况).
这个 电源 丧失 变为 更 更多 重大的 在 更小的 职责
循环. 这 使用 的 一个 双 肖特基 二极管 在 一个 单独的 至-220
包装 (e.g. 这 mbr2535) helps 改进 热的 消耗.
运作 从 一个 单独的 电源 供应
这 lx1681/1682 needs 一个 secondary 供应 电压 (v
C1
) 至
提供 sufficient 驱动 至 这 upper 场效应晶体管. 在 许多 applica-
tions 和 一个 5v (v
CC
) 和 一个 12v (v
C1
) 供应 是 呈现. 在
situations 在哪里 仅有的 5v 是 呈现, v
C1
能 是 发生 使用
一个 自举 (承担 打气) 电路, 作 显示 在 图示 4 (典型
产品 部分).
这 电容 (c
4
) 是 alternatively charged 向上 从 v
CC
通过 这
肖特基 二极管 (d
2
), 和 然后 boosted 向上 当 这 场效应晶体管 是 转变
在. 这个 scheme provedes 一个 v
C1
电压 equal 至 2
*
V
CC
- v
DS
(d
2
),
或者 大概 9.5v 和 v
CC
= 5v. 这个 电压 将 提供
sufficient 门 驱动 至 这 外部 场效应晶体管 在 顺序 至 得到 一个 低
R
ds(在)
. 便条 那 使用 这 自举 电路 在 同步的
整流 模式 是 likely 至 结果 在 faster 转变-在 比 在 非-
同步的 模式.
布局 指导原则 - 热的 设计
一个 好 deal 的 时间 和 努力 是 spent optimizing 这 热的
设计 的 这 demonstration boards. 任何 用户 who intends 至
执行 一个 embedded motherboard 将 是 好 advised 至
carefully 读 和 follow 这些 指导原则. 如果 这 场效应晶体管 switches
有 被 carefully 选择, 外部 heatsinking 是 一般地 不
必需的. 不管怎样, 这个 意思 那 铜 查出 在 这 pc 板
必须 now 是 使用. 这个 是 一个 潜在的 trouble spot;作 更
铜 范围 作 可能 必须 是 专心致志的 至 heatsinking 这 场效应晶体管
switches, 和 这 二极管 作 好 如果 一个 非-同步的 解决方案 是
使用.
在 我们的 vrm 单元, 散热器 范围 是 带去 从 内部的
地面 和 v
CC
平面 这个 是 的确 分割 和 连接
和 vias 至 这 电源 设备 tabs. 这 至-220 和 至-263
具体情况 是 好 suited 为 这个 应用, 和 是 这 preferred
包装. remember 至 除去 任何 conformal coating 从 所有
exposed pc 查出 这个 是 involved 在 heatsinking.
图示 2
— enabling 直线的 调整器
Output
5v 输入
LX168x
地
一般 注释
作 总是, 是 确信 至 提供 local 电容的 解耦 关闭 至
这 碎片. 是 确信 使用 地面 平面 构建 为 所有 高-
频率 工作. 使用 低 等效串联电阻 电容 在哪里 justified, 但是 是
alert 为 damping 和 ringing 问题. 高-频率 设计
要求 细致的 routing 和 布局, 和 将 需要 一些
iterations 至 达到 desired 效能 水平.
电源 查出
至 减少 电源 losses 预定的 至 ohmic 阻抗, 细致的 consid-
限定 应当 是 给 至 这 布局 的 查出 那 carry 高
电流. 这 主要的 paths 至 考虑 是:
■
输入 电源 从 5v 供应 至 流 的 顶 场效应晶体管.
■
查出 在 顶 场效应晶体管 和 更小的 场效应晶体管 或者 肖特基
二极管.
■
查出 在 更小的 场效应晶体管 或者 肖特基 二极管 和 地面.
■
查出 在 源 的 顶 场效应晶体管 和 inductor 和 加载.
所有 的 这些 查出 应当 是 制造 作 宽 和 厚 作 可能,
在 顺序 至 降低 阻抗 和 hence 电源 losses. 它 是 也
推荐 那, whenever 可能, 这 地面, 输入 和
输出 电源 信号 应当 是 在 独立的 平面 (pcb layers).
看 图示 2 – bold 查出 是 电源 查出.
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