EliteMT
M11B416256A
elite 记忆 技术 inc
发行 日期
:
二月. 2004
修订
:
1.9
4/15
电容
(ta = 25 C
°
, v
CC
= 5v
±
10%)
参数 标识 典型值 最大值 单位
输入 电容 (地址) C
I1
- 5 pf
输入 电容 (
RAS
,
CASH
,
CASL
, 我们 ,
OE
)
C
I2
- 7 pf
输出 电容 (i/o0~i/o15) C
i / o
- 10 pf
交流 电的 特性
(ta = 0 至 70 C
°
, v
CC
=5V
±
10%, v
SS
= 0v) (便条 14)
测试 情况
输入 定时 涉及 水平 : 0v, 3v
输出 涉及 水平的 : v
OL
= 0.8v, v
OH
=2.0v
输出 加载 : 2ttl 门 + cl (50pf)
assumed t
T
= 2ns
-25 -28 -30 -35 -40
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 注释
读 或者 写 循环 时间
t
RC
43 48
55 65 75 ns
读 写 循环 时间
t
RWC
65 70
85 95 105 ns
edo-页-模式 读 或者 写 循环 时间
t
PC
10 11
12 14 16 ns 22
edo-页-模式 读-写 循环 时间
t
PCM
32 35
37 42 47 ns 22
进入 时间 从
RAS
t
RAC
25 28 30 35 40 ns 4
进入 时间 从
CAS
t
CAC
8 9 9 10 11 ns 5,20
进入 时间 从
OE
t
OAC
8 9 9 10 11 ns 13,20
进入 时间 从 column 地址
t
AA
12 15 15 18 20 ns
进入 时间 从
CAS
Precharge
t
ACP
14 17 17 20 22 ns 20
RAS
脉冲波 宽度
t
RAS
25 10K 28 10K
30
10K
35
10K
40
10K
ns
RAS
脉冲波 宽度 (edo 页 模式)
t
RASC
25 100K 28 100K
30
100K
35
100K
40
100K
ns
RAS
支撑 时间
t
RSH
8 9
9 10 11 ns 25
RAS
precharge 时间
t
RP
15 17
20 25 30 ns
CAS
脉冲波 宽度
t
CAS
4 10k 5 10k
5
10K
5
10K
6
10K
ns 24
CAS
支撑 时间
t
CSH
21 24
26 30 35 ns 19
CAS
precharge 时间
t
CP
4 4
4 5 5 ns 6,23
RAS
至
CAS
延迟 时间
t
RCD
10 17 10 19
10 21 10 25 10 29 ns 7,18
CAS
至
RAS
precharge 时间
t
CRP
5 5
5 5 5 ns 19
行 地址 建制 时间
t
ASR
0 0
0 0 0 ns
行 地址 支撑 时间
t
RAH
5 5
5 5 5 ns
RAS
至 column 地址 延迟 时间
t
RAD
8 13 8 13
8 15 8 17 8 20 ns 8
column 地址 建制 时间
t
ASC
0 0
0 0 0 ns 18
column 地址 支撑 时间
t
CAH
5 5
5 5 5 ns 18
column 地址 支撑 时间 (涉及 至
RAS
)
t
AR
22 24
26 30 34 ns
column 地址 至
RAS
含铅的 时间
t
RAL
12 15
15 18 20 ns
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