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初步的 数据
六月 2000
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M25P10
1 mbit 低 电压 paged flash 记忆
和 20 mhz 串行 spi 总线 接口
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1 mbit paged flash 记忆
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128 字节 页 程序 在 3 ms 典型
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256 kbit sector erase 在 1 s 典型
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大(量) 擦掉 在 2 s 典型
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单独的 2.7 v 至 3.6 v 供应 电压
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spi 总线 兼容 串行 接口
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20 mhz 时钟 比率 有
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支持 积极的 时钟 spi 模式
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深的 电源 向下 模式 (1 µa 典型)
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电子的 signature
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10,000 擦掉/prog 循环 每 sector
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20 年 数据 保持
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–40 至 85°c 温度 范围
描述
这 m25p10 是 一个 1 mbit paged flash 记忆
fabricated 和 意法半导体 高
忍耐力 cmos 技术. 这 记忆 是
accessed 用 一个 简单的 spi 总线 兼容 串行
接口. 这 总线 信号 是 一个 串行 时钟 输入
(c), 一个 串行 数据 输入 (d) 和 一个 串行 数据 输出
(q).
这 设备 连接 至 这 总线 是 选择 当
这 碎片 选择 输入 (s
) 变得 低. 数据 是 clocked
在 在 这 低 至 高 转变 的 时钟 c, 数据
图示 1. 逻辑 图解
AI03744
S
V
CC
M25P10
支撑
V
SS
W
Q
C
D
表格 1. 信号 names
c 串行 时钟
D 串行 数据 输入
Q 串行 数据 输出
S
碎片 选择
W
写 保护
支撑
支撑
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
so8 (mn)
150 mil 宽度
8
1
so8 (mw)
200 mil 宽度
8
1
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