标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流 V
IL
≤
V
在
≤
V
IH
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流 e = v
IL
, g = v
IL
125 毫安
I
PP
程序 电流 e = v
IL
,g = v
PP
30 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.1 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2 V
CC
+ 1 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.45 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –400
µ
一个 2.4 V
便条:
1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
表格 7. 程序编制 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
= 25
°
c; v
CC
= 5v
±
5%; v
PP
= 21v
±
0.5v)
标识 Alt 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能
低
2
µ
s
t
QVEL
t
DS
输入 有效的 至 碎片 使能 低 2
µ
s
t
VPHEL
t
OES
V
PP
高 至 碎片 使能 低 2
µ
s
t
VPL1VPL2
t
PRT
V
PP
上升 时间 50 ns
t
ELEH
t
PW
碎片 使能 程序 脉冲波
宽度
45 55 ms
t
EHQX
t
DH
碎片 使能 高 至 输入
转变
2
µ
s
t
EHVPX
t
OEH
碎片 使能 高 至 v
PP
转变
2
µ
s
t
VPLEL
t
VR
V
PP
低 至 碎片 使能 低 2
µ
s
t
ELQV
t
DV
碎片 使能 低 至 输出
有效的
e = v
IL
, g = v
IL
1
µ
s
t
EHQZ
t
DF
碎片 使能 高 至 输出
hi-z
0 130 ns
t
EHAX
t
AH
碎片 使能 高 至 地址
转变
0ns
便条:
1. V
CC
必须 是 应用 simultaneously和 或者 在之前 v
PP
和 移除 simultaneously 或者 after v
PP
.
表格 8. 程序编制 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 25
°
c; v
CC
= 5v
±
5%; v
PP
= 21v
±
0.5v)
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