AI00784B
11
a0-a10 q0-q7
V
CC
M2716
G
EP
V
SS
8
V
PP
图示 1. 逻辑 图解
M2716
nmos 16k (2k x 8) uv 非易失存储器
2048 x 8 organization
525mw 最大值 起作用的 电源, 132mw 最大值
备用物品 电源
进入 时间:
– m2716-1 是 350ns
– m2716 是 450ns
单独的 5v 供应 电压
静态的-非 clocks 必需的
输入 和 输出 ttl 兼容
在 两个都 读 和 程序
模式
三-状态 输出 和 系-或者-
CAPABILITY
扩展 温度 范围
程序编制 电压: 25v
描述
这 m2716 是 一个 16,384 位 uv 可擦掉的 和 elec-
trically 可编程序的 记忆 非易失存储器, ideally
suited 为 产品 在哪里 快 转变 周围 和
模式 experimentation 是 重要的 需要-
ments.
这 m2716 是 housed 在 一个 24 管脚 window 陶瓷的
frit-seal 双-在-线条 包装. 这 transparent lid
准许 这 用户 至 expose 这 碎片 至 ultraviolet 明亮的
至 擦掉 这 位 模式. 一个 新 模式 能 然后 是
写 至 这 设备 用 下列的 这 程序编制
程序.
a0 - a10 地址 输入
q0 - q7 数据 输出
EP 碎片 使能 / 程序
G 输出 使能
V
PP
程序 供应
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
表格 1. 信号 names
1
24
fdip24w (f)
july 1994 1/9
: 点此下载
