adg721/adg722/adg723
–8–
rev. 0
c3294–8–4/98
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产品 信息
这 adg721/adg722/adg723belongs 至 相似物 设备’
新 家族 的cmos switches. 这个 序列 的 一般 目的
switches有 改进 切换 时间, 更小的 在 阻抗,
高等级的 带宽, 低 电源 消耗量 和 低 泄漏
电流.
adg721/adg722/adg723 供应 电压
符合实际 的 这 adg721/adg722/adg723 extends 从
+1.8 v 至 +5.5 v 单独的 供应, 这个 制造 它 完美的 为 电池
powered 器械, 在哪里 重要的 设计 参数 是
电源 效率 和 效能.
它 是 重要的 至 便条 那 这 供应 电压 影响 这 输入
信号 范围, 这 在 阻抗 和 这 切换 时间 的 这
部分. 用 带去 一个 看 在 这 典型 效能 特性
和 这 规格, 这 影响 的 这 电源 供应 能 是
clearly seen.
为 v
DD
= +1.8 v, 在 阻抗 是 典型地 40
Ω
在 这 tem-
perature 范围.
在 回馈 vs. 频率
图示 8 illustrates 这 parasitic 组件 那 影响 这 交流
效能 的 cmos switches (这 转变 是 显示 surrounded
用 一个 盒). 额外的 外部 capacitances 将 更远 降级
一些 效能. 这些 capacitances 影响 feedthrough,
串扰 和 system 带宽.
C
DS
S
V
在
C
D
C
加载
R
加载
D
V
输出
R
在
图示 8. 转变 represented 用 相等的 parasitic
组件
这 转移 函数 那 describes 这 相等的 图解 的
这 转变 (图示 8) 是 的 这 表格 (一个)s 显示 在下.
一个
(
s
)
=
R
T
s
(
R
在
C
DS
)
+
1
s
(
R
在
C
T
R
T
)
+
1
在哪里:
C
T
=
C
加载
+
C
D
+
C
DS
R
T
=
R
加载
/
(r
加载
+
R
在
)
这 信号 转移 典型的 是 依赖 在 这 转变
频道 电容, c
DS
. 这个 电容 creates 一个 频率
零 在 这 numerator 的 这 转移 函数 一个(s). 因为 这
转变 在 阻抗 是 小, 这个 零 通常地 occurs 在 高
发生率. 这 带宽 是 一个 函数 的 这 转变 输出
电容 联合的 和 c
DS
和 这 加载 电容. 这
频率 柱子 相应的 至 这些 capacitances 呈现 在
这 denominator 的 一个(s).
这 首要的 效应 的 这 输出 电容, c
D
, 导致 这
柱子 breakpoint 频率 至 出现 第一. 因此, 在 顺序 至
maximize 带宽 一个 转变 必须 有 一个 低 输入 和
输出 电容 和 低 在 阻抗. 这 在 回馈
vs. 频率 plot 为 这 adg721/adg722/adg723 能
是 seen 在 图示 7.
止 分开
止 分开 是 一个 measure 的 这 输入 信号 结合 通过 一个
止 转变 至 这 转变 输出. 这 电容, c
DS
, couples
这 输入 信号 至 这 输出 加载, 当 这 转变 是 止 作
显示 在 图示 9.
C
DS
S
V
在
C
D
C
加载
R
加载
D
V
输出
图示 9. 止 分开 是 影响 用 外部 加载 resis-
tance 和 电容
这 大 这 值 的 c
DS
, 大 值 的 feedthrough 将 是
生产. 这 典型 效能 典型的 图表 的 图-
ure 5 illustrates 这 漏出 在 止 分开 作 一个 函数 的 fre-
quency. 从 直流 至 roughly 1 mhz, 这 转变 显示 更好的
比 –80 db 分开. 向上 至 发生率 的 10 mhz, 这 止
分开 仍然是 更好的 比 –60 db. 作 这 频率 在creases,
更多 和 更多 的 这 输入 信号 是 结合 通过 至 这
输出. 止 分开 能 是 maximized 用 choosing 一个 转变
和 这 smallest c
DS
作 可能. 这 值 的 加载 阻抗
和 电容 也 影响 止 分开, 作 它们 contribute 至
这 coefficients 的 这 柱子 和 zeros 在 这 转移 函数 的
这 转变 当 打开.
一个
(
s
)
=
s
(
R
加载
C
DS
)
s
(
R
加载
)(
C
加载
+
C
D
+
C
DS
)
+
1
外形 维度
维度 显示 在 英寸 和 (mm).
8-含铅的
SOIC
(rm-8)
8
5
4
1
0.122 (3.10)
0.114 (2.90)
0.199 (5.05)
0.187 (4.75)
管脚 1
0.0256 (0.65) bsc
0.122 (3.10)
0.114 (2.90)
SEATING
平面
0.006 (0.15)
0.002 (0.05)
0.018 (0.46)
0.008 (0.20)
0.043 (1.09)
0.037 (0.94)
0.120 (3.05)
0.112 (2.84)
0.011 (0.28)
0.003 (0.08)
0.028 (0.71)
0.016 (0.41)
33°
27°
0.120 (3.05)
0.112 (2.84)
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