8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
M54539P
6-单位 700ma 晶体管 排列 和 clamp 二极管
典型 特性
热的 减额 因素 特性
包围的 温度 ta (
°
c)
电源 消耗 pd (w)
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
25 50 75 100
输出 饱和 电压
集电级 电流 特性
输出 饱和 电压 v
CE
(sat) (v)
集电级 电流 ic (毫安)
职责-循环-集电级 特性
职责 循环 (%)
•
这 集电级 电流
值 代表 这 电流
每 电路.
•
重复的 频率
≥
10Hz
•
这 值 在 这 circle
代表 这
值 的 这 同时发生地-
运作 电路.
•
V
CC
= 6.5v
•
ta = 25
°
C
1
2
3
集电级 电流 ic (毫安)
职责-循环-集电级 特性
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
grounded 发射级 转移 特性
职责 循环 (%)
1
2
3
456
集电级 电流 ic (毫安)
集电级 电流 ic (毫安)
直流 放大器 因素 h
FE
输入 电压 v
I
(v)
集电级 电流 ic (毫安)
0
200
400
600
800
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
V
I
= 3v
V
CC
= 5v
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
V
CC
= 6v
V
CE
= 4v
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
V
CC
= 6v
V
CE
= 4v
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
0
200
400
600
800
0 20406080100
0
200
400
600
800
0 20406080100
10
1
10
2
357
10
3
357
10
3
10
4
3
5
7
10
5
3
5
7
0
200
400
600
800
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
•
这 集电级 电流
值 代表 这
电流 每 电路.
•
重复的 频率
≥
10Hz
•
这 值 在 这 circle 代表
这 值 的 这 同时发生地-
运作
电路.
•
V
CC
= 6.5v
•
ta = 75
°
C
456
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