M54523FP_集成电路资料查询网

jan.2000
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54523p/fp
7-单位 500ma darlington 晶体管-排列 和 clamp 二极管
集电级 电流  ic
C
(毫安)
直流 放大器 因素h
FE
grounded 发射级 转移 特性
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
输入 电压  v
I
(v)
集电级 电流  ic (毫安)
输入 特性
输入 电压  v
I
(v)
输入 电流I
I
(毫安)
夹紧 二极管 特性
向前 偏差 电压  v
F
(v)
向前 偏差 电流  i
F
(毫安)
0
4
8
12
16
0 8 16 24 32
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
10
1
10
2
10
3
3
5
7
10
4
3
5
7
10
2
357
10
3
357
V
CE
= 4v
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
0
0
100
200
300
400
500
12345
V
CE
= 4v
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C
0
100
200
300
400
500
0 2.00.5 1.0 1.5
ta = –20
°
C
ta = 25
°
C
ta = 75
°
C

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jan.2000 mitsubishi 半导体 <晶体管排列> m54523p/fp 7-单位 500ma darlington 晶体管-排列和 clamp 二极管集电级电流 ic C (毫安) 直流放大器因素h FE grounded 发射级转移特性直流放大器因素集电级电流特性输入电压 v I (v) 集电级电流 ic (毫安) 输入特性输入电压 v I (v) 输入电流I I (毫安) 夹紧二极管特性向前偏差电压 v F (v) 向前偏差电流 i F (毫安) 0 4 8 12 16 0 8 16 24 32 ta = –20 ° C ta = 25 ° C ta = 75 ° C 10 1 10 2 10 3 3 5 7 10 4 3 5 7 10 2 357 10 3 357 V CE = 4v ta = –20 ° C ta = 25 ° C ta = 75 ° C 0 0 100 200 300 400 500 12345 V CE = 4v ta = –20 ° C ta = 25 ° C ta = 75 ° C 0 100 200 300 400 500 0 2.00.5 1.0 1.5 ta = –20 ° C ta = 25 ° C ta = 75 ° C

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