1/10august 2001
■
高 速:
t
PD
= 8ns (典型值.) 在 v
CC
= 6v
■
低 电源 消耗:
I
CC
= 4
µ
一个(最大值.) 在 t
一个
=25°C
■
高 噪音 免除:
V
NIH
= v
NIL
= 28 % v
CC
(最小值.)
■
对称的 输出 阻抗:
|I
OH
| = i
OL
= 6ma (最小值)
■
保持平衡 传播 延迟:
t
PLH
≅
t
PHL
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宽 运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 2v 至 6v
■
管脚 和 函数 兼容 和
74 序列 126
描述
这 m74hc126 是 一个 高 速 cmos 四方形
缓存区 (3-状态) fabricated 和 硅 门
C
2
mos 技术.
这 设备 需要 这 3-状态 控制 输入 g
至 是 设置 高 至 放置 这 输出 在 这 高
阻抗 状态.
所有 输入 是 配备 和 保护 电路
相反 静态的 释放 和 瞬时 excess
电压.
M74HC126
四方形 总线 缓存区 (3-状态)
管脚 连接 和 iec 逻辑 symbols
顺序 代号
包装 TUBE t &放大; r
插件 M74HC126B1R
SOP M74HC126M1R M74HC126RM13TR
TSSOP M74HC126TTR
TSSOPDIP SOP
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