AIC1803
10
C
TC
‚C
TD
(f) 1n 5n 10n 22n 33n
T
OC
‚T
OD
(s) 21m 52m 132m 253m 347m
C
TC
‚C
TD
(f) 47n 68n 82n 100n
T
OC
‚T
OD
(s) 617m 748m 1004m 1630m
这 延迟 时间 能 也 是 大概
计算 用 这 下列的 equations (如果 C
TC
, c
TD
≤
82nf) :
T
OC
(ms)
=
11.8 x c
TC
(nf)
T
OD
(ms)
=
11.8 x c
TD
(nf)
设置 这Overcurrent延迟 时间 1
这 overcurrent 延迟 时间 1 (t
OI1
) 在 0.15v <
V
CC
-V
CS
< 0.3v 是 设置 用 这 外部 电容 c
德州仪器
,
当 这 overcurrent 延迟 时间 2 和 3 (t
OI2
和
T
OI3
) 是 fixed 用 ic 内部的电路.这 relationship
在 电容 的 这 外部 电容 和
延迟 时间 是 tabulated 作 在下.
C
德州仪器
(f) 1n 2.2n 3.3n 5n 6.8n 10n
T
OI
(ms) 4.8 15.0 18.8 23.6 31.0 61.8
选择 的 外部 控制
MOSFETs
因为 这 overcurrent 保护 电压 是
preset, 这 门槛 电流 为 overcurrent
发现 是 决定 用 这 转变-在 阻抗
的 这 释放 控制 场效应晶体管 m1. 这 转变-在
阻抗 的 这 外部 控制 mosfets 能
是 决定 用 这 等式: r
在
=V
OIP
/i
T
(i
T
是
这 overcurrent 门槛 电流). 为 例子, 如果
这 overcurrent 门槛 电流 i
T
是 设计 至
是 5a, 这 转变-在 阻抗 的 这 外部
控制 mosfets 必须 是 30m
Ω
. 用户 应当
是 知道 那 转变-在 阻抗 的 这 场效应晶体管
改变 和 温度 变化 预定的 至 热温
消耗. 它 改变 和 这 电压 在
门 和 源 作 好. (转变-在 阻抗 的 一个
场效应晶体管 增加 作 这 电压 在 门
和 源 减少). once 这 转变-在
阻抗 的 这 外部 场效应晶体管 改变, 这
overcurrent 门槛 电流 将 改变
accordingly.
suppressing 这 波纹 和
disturbance 从 charger
至 压制 这 波纹 和 disturbance 从
charger, 连接 r1 至 r4 和 c1 至 c4 是
推荐.
controlling 这 承担 控制
场效应晶体管
r5, r6, r7 和 npn 晶体管 q1 是 使用 至
转变 这 承担 控制 场效应晶体管 m2. 如果
overcharge 做 不 出现, 非 电流 flows 在
oc 管脚 和 q1 是 转变 止, 然后 m2 是 转变 在.
当 overcharge occurs, 电流 flows 在 oc
管脚 和 q1 是 转变 在, 这个 转变 止 m2 在 转变.
保护 在 cs 管脚
R8是 使用 为 保护 的 ic 当 charger 是
连接 在 反转. 这 承担 发现
函数 之后 overdischarge 是 possibly 无能
用 大 值 的 r8.阻抗 的 1k
Ω
是
推荐.
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