adm660/adm8660
rev. 一个
–7–
表格 ii. adm8660 承担-打气 频率 选择
FC OSC 承担 打气 c1, c2
地 打开 25 khz 10
µ
F
V+ 打开 120 khz 2.2
µ
F
地 或者 v+ ext cap 看 典型 特性
地 ext clk ext clk 频率/2
INVERTED
负的
输出
+1.5v 至 +7v
输入
C1
C2
ADM660
ADM8660
V+
地
输出
LV
OSC
FC
CAP+
CAP–
cmos 门
clk osc
图示 21. adm660/adm8660 外部 振荡器
电压 doubling 配置
图示 22 显示 这 adm660 配置 至 发生 增加
输出 电压. 作 在 这 反相的 模式, 仅有的 二 外部 ca-
pacitors 是 必需的. 这 doubling 函数 是 达到 用 re-
versing 一些 连接 至 这 设备. 这 输入 电压 是
应用 至 这 地 管脚 和 v+ 是 使用 作 这 输出. 输入
电压 从 2.5 v 至 7 v 是 容许的. 在 这个 配置,
管脚 lv, 输出 必须 是 连接 至 地.
这 unloaded 输出 电压 在 这个 配置 是 2 (v
在
).
输出 阻抗 和 波纹 是 类似的 至 这 电压 反相的
配置.
便条 那 这 adm8660 不能 是 使用 在 这 电压
doubling 配置.
DOUBLED
积极的
输出
+2.5v
至 +7v
输入
10µF
10µF
ADM660
V+
地
输出
LV
OSC
FC
CAP+
CAP–
图示 22. 电压 doubler 配置
关闭 输入
这 adm8660 包含 一个 关闭 输入 那 能 是 使用 至
使不能运转 这 设备 和 hence 减少 这 电源 消耗量. 一个
逻辑 高 水平的 在 这 sd 输入 shuts 这 设备 向下 减少
这 安静的 电流 至 0.3
µ
一个. 在 关闭 这 输出
电压 变得 至 0 v. therefore, 地面 关联 负载 是
不powered 在 这个 状态. 当 exiting 关闭 它 takes
一些 循环 (大概 500
µ
s) 为 这 承担 打气 至
reach 它的 最终 值. 如果 这 关闭 函数 是 不 正在 使用,
然后 sd 应当 是 hardwired 至 地.
电容 选择
这 最佳的 电容 值 选择 取决于 这 承担-
打气 频率. 和 25 khz 选择, 10
µ
f 电容 是
推荐, 当 和 120 khz 选择, 2.2
µ
f 电容
将 是 使用. 其它 发生率 准许 其它 电容 值 至
是 使用. 为 最大 效率 在 所有 具体情况, 它 是 推荐
那 电容 和 低 等效串联电阻 是 使用 为 这 承担 打气.
低 等效串联电阻 电容 给 两个都 这 最低 输出 阻抗 和
最低 波纹 电压.高 输出 阻抗 degrades 这 整体的
电源 效率 和 导致 电压 drops, 特别 在 高
反相的 负的 电压 发生器
计算数量 19 和 20 显示 这 adm660/adm8660 配置 至
发生 一个 负的 输出 电压. 输入 供应 电压 从
1.5 v 向上 至 7 v 是 容许的. 为 供应 电压 较少 比 3 v,
lv 必须 是 连接 至 地. 这个 bypasses 这 内部的
调整器 电路系统 和 给 最好的 效能 在 低 电压
产品. 和 供应 电压 更好 比 3 v, lv 将
是 也 连接 至 地 或者 left 打开. leaving 它 打开 facili-
tates 直接 substitution 为 这 icl7660.
INVERTED
负的
输出
+1.5v 至 +7v
输入
C1
10µF
C2
10µF
ADM660
V+
地
输出
LV
OSC
FC
CAP+
CAP–
图示 19. adm660 电压 反相器 配置
INVERTED
负的
输出
+1.5v 至 +7v
输入
C1
10µF
C2
10µF
ADM8660
V+
地
输出
LV
FC
CAP+
CAP–
SD
关闭
控制
图示 20. adm8660 电压 反相器 配置
振荡器 频率
这 内部的 承担-打气 频率 将 是 选择 至 是
也 25 khz 或者 120 khz 使用 这 频率 控制 (fc)
输入. 和 fc unconnected (adm660) 或者 连接 至 地
(adm8660), 这 内部的 承担 打气 runs 在 25 khz 当, 如果
fc 是 连接 至 v+, 这 频率 是 增加 用 一个 因素 的
five. 增加 这 频率 准许 小 电容 至 是
使用 为 相等的 效能 或者, 如果 这 电容 大小 是 un-
changed, 它 结果 在 更小的 输出 阻抗 和 波纹.
如果 一个 承担-打气 频率 其它 比 这 二 fixed 值 是
desired, 这个 是制造 可能 用 这 osc 输入, 这个 能 ei-
ther 有 一个 电容 connected 至 它 或者 是 过载 用 一个
外部 时钟. 请 谈及 至 这 典型 效能 charac-
teristics, 这个 显示 这 变化 在 承担-打气 频率
相比 电容 大小. 这 承担-打气 频率 是 一个-half
这 振荡器 频率 应用 至 这 osc 管脚.
如果 一个 外部 时钟 是 使用 至 overdrive 这 振荡器, 它的 水平
应当 摆动 至 在里面 100 mv 的 v+ 和 地. 一个 cmos
驱动器 是, 因此, 合适的. 当 osc 是 过载, fc 有
非 效应 但是 lv 必须 是 grounded.
便条 那 overdriving 是 permitted 仅有的 在 这 电压
inverter 配置.
表格 i. adm660 承担-打气 频率 选择
FC OSC 承担 打气 c1, c2
打开 打开 25 khz 10
µ
F
V+ 打开 120 khz 2.2
µ
F
打开 或者 v+ ext cap 看 典型 特性
打开 ext clk ext clk 频率/2
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