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肖特基 屏障 二极管 (sbd)
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MA3X701
I
F

V
F
I
R

V
R
V
F

T
一个
I
R

T
一个
I
f(surge)

t
W
C
t

V
R
10
−
5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
10
−
4
10
−
3
10
−
2
10
−
1
1
向前 电压   v
F
(
V
)
向前 电流   i
F
(
一个
)
T
一个
=
125
°
C
75
°
C
25
°
C
−
20
°
C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
−
40 0 40 80 120 160 200
包围的 温度   t
一个
(
°
C
)
向前 电压   v
F
(
V
)
I
F
=
700 毫安
100 毫安
10 毫安
10
−
1
0 5 10 15 20 25 30
1
10
10
2
10
3
10
4
反转 电压   v
R
(
V
)
反转 电流   i
R
(
µ
一个
)
T
一个
=
125
°
C
75
°
C
25
°
C
0.1
−
40 0 40 80 120 160 200
1
10
100
1 000
10 000
包围的 温度   t
一个
(
°
C
)
反转 电流   i
R
(
µ
一个
)
V
R
=
30 v
15 v
6 v
0
50
100
150
200
250
300
0 5 10 15 20 25 30
反转 电压   v
R
(
V
)
终端 电容   c
t
(
pF
)
0.1
0.1
1
10
100
0.3
3
30
300
1 000
0.3 3 30 100101
脉冲波 宽度   t
W
(
ms
)
向前 surge 电流   i
f(surge)
(
一个
)
t
W
I
f(surge)
T
一个
=
25
°
C

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肖特基屏障二极管 (sbd) 2 MA3X701 I F  V F I R  V R V F  T 一个 I R  T 一个 I f(surge)  t W C t  V R 10 − 5 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 10 − 4 10 − 3 10 − 2 10 − 1 1 向前电压 v F ( V ) 向前电流 i F ( 一个 ) T 一个 = 125 ° C 75 ° C 25 ° C − 20 ° C 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 − 40 0 40 80 120 160 200 包围的温度 t 一个 ( ° C ) 向前电压 v F ( V ) I F = 700 毫安 100 毫安 10 毫安 10 − 1 0 5 10 15 20 25 30 1 10 10 2 10 3 10 4 反转电压 v R ( V ) 反转电流 i R ( µ 一个 ) T 一个 = 125 ° C 75 ° C 25 ° C 0.1 − 40 0 40 80 120 160 200 1 10 100 1 000 10 000 包围的温度 t 一个 ( ° C ) 反转电流 i R ( µ 一个 ) V R = 30 v 15 v 6 v 0 50 100 150 200 250 300 0 5 10 15 20 25 30 反转电压 v R ( V ) 终端电容 c t ( pF ) 0.1 0.1 1 10 100 0.3 3 30 300 1 000 0.3 3 30 100101 脉冲波宽度 t W ( ms ) 向前 surge 电流 i f(surge) ( 一个 ) t W I f(surge) T 一个 = 25 ° C

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